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寻找关于C30:晶体生长领域相关可售专利
C30领域相关在售专利
C30子分类
C30B:单晶生长(用超高压的,例如用于金刚石形成的入B01J 3/06);共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼(金属或合金的区熔精炼入C22B);具有一定结构的均匀多晶材料的制备(金属铸造,按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D;塑料的加工入B29;改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F);单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(用于半导体器件或元件生产的入H01L);其所用的装置
C30B大组
C30B1/00:直接自固体的单晶生长
C30B3/00:共析材料的定向分层
C30B5/00:凝胶的单晶生长
C30B7/00:常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长
C30B9/00:使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
C30B11/00:正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B13/00:区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
C30B15/00:熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B17/00:生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长,例如Necken-Kyropoulos法
C30B19/00:液相外延层生长
C30B21/00:共晶材料的定向凝固
C30B23/00:冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B25/00:反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B27/00:保护流体下的单晶生长
C30B28/00:制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/00:以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B30/00:利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B31/00:单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
C30B33/00:单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B35/00:未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置
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40
个相关信息
一种带有导流装置的多晶硅铸锭炉
一种带有导流装置的多晶硅铸锭炉
实用新型
有效专利
多晶硅铸锭炉
申请日:
2020-10-14
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/06
、
C30B28/06
发明人:
陈梓恒
申请人:
江苏金圣硅基新材料研究院有限公司
一种成品率好的高安全性扩散炉
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实用新型
有效专利
扩散炉
申请日:
2021-07-12
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B31/10
、
C30B29/06
发明人:
薛会福
申请人:
徐州云致途电子科技有限公司
一种扩散均匀且高效的扩散炉
一种扩散均匀且高效的扩散炉
实用新型
有效专利
扩散炉
申请日:
2021-10-25
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B31/00
发明人:
刘益
申请人:
刘益
一种密封性能好的具有均匀喷淋功能的扩散炉
一种密封性能好的具有均匀喷淋功能的扩散炉
实用新型
有效专利
扩散炉
申请日:
2021-09-15
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B31/10
、
C30B31/16
、
C30B29/06
、
H01L31/18
发明人:
卢其才
申请人:
卢其才
2-(3-氨基-2-氧代吲哚烷-3-基)-3-羟基-1,4-萘醌衍生物及其制备方法
2-(3-氨基-2-氧代吲哚烷-3-基)-3-羟基-1,4-萘醌衍生物及其制备方法
发明专利
有效专利
化合物合成
申请日:
2014-06-20
当前状态:
授权
国际分类号:
C07D209/40
、
C30B29/54
发明人:
宋庆宝,车峰峰,张诚,沈田华
申请人:
浙江工业大学
用于白光LED的Tb
3+
/Sm
3+
/Ce
3+
三掺杂α‑NaYF
4
单晶体及其制备方法
用于白光LED的Tb
3+
/Sm
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3+
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单晶体及其制备方法
发明专利
有效专利
申请日:
2014-10-15
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/12
、
C30B11/00
发明人:
姜永章,夏海平,杨硕,张加忠,符立,董艳明,李珊珊,张约品
申请人:
宁波大学
一种晶体高质量快速生长控制方法
一种晶体高质量快速生长控制方法
发明专利
有效专利
申请日:
2019-08-08
当前状态:
授权
国际分类号:
G01B11/02
、
G01B11/06
、
C30B7/08
、
C30B29/14
发明人:
潘丰,王蕾
申请人:
江南大学
一种具有光限制能力的W/S/Cu簇-金属框架晶体材料的制备方法及晶体材料
一种具有光限制能力的W/S/Cu簇-金属框架晶体材料的制备方法及晶体材料
发明专利
有效专利
非线性光学材料
申请日:
2018-06-29
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/54
、
C30B7/00
、
G02F1/355
发明人:
张金方,冯姣阳,吴俊洁
申请人:
江南大学
二阶非线性光学晶体材料{[Tb(NMP)7][WS4Ag3I4]}的制备方法
二阶非线性光学晶体材料{[Tb(NMP)7][WS4Ag3I4]}的制备方法
发明专利
有效专利
申请日:
2016-02-29
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/46
、
C30B7/14
、
G02F1/355
发明人:
张金方,刘宇航,张弛
申请人:
江南大学
一种具有三阶非线性光学性能的W/S/Cu簇-金属晶体材料的制备方法及晶体材料
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发明专利
有效专利
非线性光学材料
申请日:
2018-06-29
当前状态:
授权
国际分类号:
G02F1/355
、
C30B29/54
、
C30B7/00
发明人:
张金方,冯姣阳,吴俊洁
申请人:
江南大学
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