[0031] 下面结合具体实施例对本发明作进一步分析。
[0032] 一种Ce3+掺杂的硅酸盐绿色荧光粉，其化学通式为：KBaScSi2O7:xmol％Ce3+，其中x3+ 3+
为掺杂的Ce 离子的摩尔百分数，0.5≤x≤20。通过调节Ce 的掺杂浓度，可以获得高亮度、高效率的宽带绿光发射。
[0033] 上述一种Ce3+掺杂的绿色硅酸盐荧光粉的制备方法，采用高温固相法，其基本步骤如下：
[0034] 步骤(1)、按化学通式KBaScSi2O7:xmol％Ce3+中对应元素的化学计量比称取各原料：含有钾离子的化合物、含有钡离子的化合物、含有钪离子的化合物、含有硅离子的化合3+
物、含有铈离子的化合物；其中x为掺杂的铈离子Ce 的摩尔百分数，0.5≤x≤20；
[0035] 步骤(2)、将步骤(1)得到的混合物充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下进行预烧，得到预烧后的混合物；
[0036] 作为优选，所述预烧温度为500‑1000℃，时间为2‑24小时；
[0037] 步骤(3)、将步骤(2)预烧后的混合物自然冷却至室温，充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧得到硅酸盐基绿色荧光粉；
[0038] 作为优选，所述煅烧温度为1050‑1550℃，时间为2‑12小时，
[0039] 作为优选，步骤(1)中含有钾离子K+的化合物为K2CO3、KHCO3、K2O中的一种或多种，2+ 3+
含有钡离子Ba 的化合物为BaCO3、BaO中的一种或两种，含有钪离子Sc 的化合物为Sc2O3、
4+ 3+
Sc(NO3)3中的一种或两种，含有硅离子Si 的化合物为SiO2，含有铈离子Ce 的化合物为CeO2。
[0040] 作为优选，步骤(3)中还原气氛为以下任意一种：①由活性碳或者碳粒燃烧得到；②纯氢气；③氮氢混合气体，其中氢气和氮气体积比为(5:95)～(95:5)。
[0041] 下面结合下述实施例旨在说明本发明，任何在本发明基础上做出的改进和变化均在本发明的保护范围之内。
[0042] 实施例1：制备KBaScSi2O7:0.5mol％Ce3+
[0043] 按化学式KBaScSi2O7:0.5mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.00172g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为800℃，时间为6小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1250℃，时间为4小时，得到目标产物KBaScSi2O7:0.5mol％Ce 。
[0044] 参见附图1中的a，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0045] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，半高宽高达122nm，量子效率达到了55.9％。
[0046] 实施例2：制备KBaScSi2O7:1.0mol％Ce3+
[0047] 按化学式KBaScSi2O7:1.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.00344g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为750℃，时间为8小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1200℃，时间为6小时，得到目标产物KBaScSi2O7:1.0mol％Ce 。
[0048] 参见附图1中的b，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0049] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，半高宽高达124nm，量子效率达到了57.4％。
[0050] 实施例3：制备KBaScSi2O7:1.5mol％Ce3+
[0051] 按化学式KBaScSi2O7:1.5mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.00516g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为700℃，时间为10小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1150℃，时间为8小时，得到目标产物KBaScSi2O7:1.5mol％Ce 。
[0052] 参见附图1中的c，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0053] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，半高宽高达125nm，量子效率达到了60.5％。
[0054] 实施例4：制备KBaScSi2O7:2.0mol％Ce3+
[0055] 按化学式KBaScSi2O7:2.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.00688g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为650℃，时间为12小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1100℃，时间为10小时，得到目标产物KBaScSi2O7:2.0mol％Ce 。
[0056] 参见附图1中的d，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0057] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，半高宽高达127nm，量子效率达到了65.5％。
[0058] 实施例5：制备KBaScSi2O7:3.0mol％Ce3+
[0059] 按化学式KBaScSi2O7:3.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.01033g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为600℃，时间为14小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1050℃，时间为12小时，得到目标产物KBaScSi2O7:3.0mol％Ce 。
[0060] 参见附图1中的e，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。XRD 测试结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0061] 参见附图2中的A，是按本实施例方案制备的荧光粉样品在516nm监测波长下得到的激发光谱图。从图中可以看出，该荧光粉在300‑400nm范围内具有较宽的激发波段，这是3+ 1 0 1
由Ce 离子从基态(4f)到激发态(4f5d)的电子跃迁引起的；其激发光谱覆盖了整个紫外光区域的大部分，最强激发峰位于367nm，表明了其可封装在高亮度的紫外LED芯片上制备白光LED照明器件。
[0062] 参见附图2中的B，是按本实施例方案制备的荧光粉样品在367nm激发波长下得到的发射光谱图。从图中可以看出，发射光谱包含一个从420到700nm的绿光宽带发射峰，半高3+ 0 1 1
宽高达130nm，这是由Ce 离子在4f5d→4f的电子跃迁引起的。
[0063] 参见附图3，是按本实施例方案制备的荧光粉样品在367nm激发波长下的CIE图，插图是对应荧光粉分别在日光和紫外光下的照片。从图中可以看出，色度坐标位于 (0.2893,0.4119)，正好坐落于CIE图中的绿光区域之间。此外，在367nm激发下可获得明亮的绿光，这表明其可作为一种绿光发射的荧光材料应用于白光LED器件中。
[0064] 参见附图4，是按本实施例方案制备的荧光粉样品在367nm激发波长下，随温度上升和下降对应的发射光谱等值线图。从图中可以看出，样品的发射光谱强度在升温过程中有明显的下降趋势，而在之后的降温过程中有明显的上升趋势；在423K的测试温度下，样品的发射光谱强度可保持在室温下的45％以上。
[0065] 参见附图5，是按本实施例方案制备的荧光粉样品在367nm激发波长下，不同测试温度对应的发射光谱强度。从图中可以看出，在升温和降温的循环过程中，荧光粉的热稳定性几乎可以被重复出来，所制得的荧光粉具有较好的可逆性热稳定现象。
[0066] 参见附图6，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的量子效率谱图。从图中可以看出，荧光粉的量子效率高达68.4％。
[0067] 实施例6：制备KBaScSi2O7:4.0mol％Ce3+
[0068] 按化学式KBaScSi2O7:4.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.01377g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为550℃，时间为16小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1300℃，时间为11小时，得到目标产物KBaScSi2O7:4.0mol％Ce 。
[0069] 参见附图1中的f，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0070] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，半高宽高达133nm，量子效率达到了51.0％。
[0071] 实施例7：制备KBaScSi2O7:5.0mol％Ce3+
[0072] 按化学式KBaScSi2O7:5.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.01721g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为500℃，时间为24小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1350℃，时间为9小时，得到目标产物KBaScSi2O7:5.0mol％Ce 。
[0073] 参见附图1中的g，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0074] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，半高宽高达135nm，量子效率达到了51.5％。
[0075] 实施例8：制备KBaScSi2O7:6.0mol％Ce3+
[0076] 按化学式KBaScSi2O7:6.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.02065g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为850℃，时间为22小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1400℃，时间为7小时，得到目标产物KBaScSi2O7:6.0mol％Ce 。
[0077] 参见附图1中的h，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0078] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，半高宽高达137nm，量子效率达到了54.2％。
[0079] 实施例9：制备KBaScSi2O7:7.0mol％Ce3+
[0080] 按化学式KBaScSi2O7:7.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取KHCO3： 0.200g，BaO：0.3060g，Sc(NO3)3：0.4620g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.02410g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为900℃，时间为20小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温
3+
度为1450℃，煅烧时间为5小时，得到目标产物KBaScSi2O7:7.0 mol％Ce 。
[0081] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的晶体结构、激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能、量子效率图谱与实施例5相似，半高宽高达139nm。
[0082] 实施例10：制备KBaScSi2O7:8.0mol％Ce3+
[0083] 按化学式KBaScSi2O7:8.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.02754g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为950℃，时间为18小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1500℃，时间为3小时，得到目标产物KBaScSi2O7:8.0mol％Ce 。
[0084] 参见附图1中的i，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0085] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，半高宽高达141nm，量子效率达到了41.6％。
[0086] 实施例11：制备KBaScSi2O7:9.0mol％Ce3+
[0087] 按化学式KBaScSi2O7:9.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2O：0.0942g， BaO：0.3060g，Sc(NO3)3：0.4620g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.03098g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为1000℃，时间为4小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温
3+
度为1550℃，时间为2小时，得到目标产物KBaScSi2O7:9.0mol％Ce 。
[0088] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的晶体结构、激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能、量子效率图谱与实施例5相似，半高宽高达143nm。
[0089] 实施例12：制备KBaScSi2O7:10.0mol％Ce3+
[0090] 按化学式KBaScSi2O7:10.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取KHCO3： 0.200g，BaCO3：0.3947g，Sc(NO3)3：0.4620g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.03442g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为900℃，时间为2小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1350℃，时间为4小时，得到目标产物KBaScSi2O7:10.0mol％Ce 。
[0091] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的晶体结构、激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能、量子效率图谱与实施例5相似，半高宽高达144nm。
[0092] 实施例13：制备KBaScSi2O7:15.0mol％Ce3+
[0093] 按化学式KBaScSi2O7:15.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaCO3：0.3947g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.05163g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为700℃，时间为12小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1450℃，时间为8小时，得到目标产物KBaScSi2O7:15.0mol％Ce 。
[0094] 参见附图1中的j，是按本实施例方案制备的荧光粉样品的X射线衍射图谱。结果表明，所制备的材料主相为KBaScSi2O7。
[0095] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能与实施例5相似，量子效率达到了42.9％，半高宽高达148nm。
[0096] 实施例14：制备KBaScSi2O7:20.0mol％Ce3+
[0097] 按化学式KBaScSi2O7:20.0mol％Ce3+中各元素的化学计量比，分别称取K2CO3： 0.1380g，BaO：0.3060g，Sc2O3：0.1379g，SiO2：0.2400g，CeO2：0.06884g，置于玛瑙研钵中充分研磨，待研磨均匀后置于坩埚中，在空气气氛下预烧，预烧温度为600℃，时间为20小时，自然冷却至室温后，将预烧后的粉末样品充分研磨均匀后，在还原气氛下煅烧，煅烧温度为
3+
1300℃，时间为4小时，得到目标产物KBaScSi2O7:20.0mol％Ce 。
[0098] 按本实施例方案制备的荧光粉样品的晶体结构、激发光谱、发射光谱、CIE图、热稳定性能、量子效率图谱与实施例5相似，半高宽高达152nm。
[0099] 上述实施例并非是对于本发明的限制，本发明并非仅限于上述实施例，只要符合本发明要求，均属于本发明的保护范围。
