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一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法 0 0

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申请进展

基本信息

申请人信息

代理人信息

摘要

法律状态

权利要求

说明书

专利申请流程有哪些步骤？

申请

申请号：指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。

申请日：提出专利申请之日。

2017-10-16

申请公布

申请公布指发明专利申请经初步审查合格后，自申请日（或优先权日）起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。

申请公布号：专利申请过程中，在尚未取得专利授权之前，国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。

申请公布日：申请公开的日期，即在专利公报上予以公开的日期。

2018-04-13

授权

授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由，授予发明专利权；或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由，授予实用新型专利权或外观设计专利权。

2020-04-07

预估到期

发明专利权的期限为二十年，实用新型专利权期限为十年，外观设计专利权期限为十五年，均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。

2037-10-16

基本信息

有效性	有效专利	专利类型	发明专利
申请号	CN201710961287.8	申请日	2017-10-16
公开/公告号	CN107819076B	公开/公告日	2020-04-07
授权日	2020-04-07	预估到期日	2037-10-16
申请年	2017年	公开/公告年	2020年
缴费截止日
分类号	H01L51/46 、H01L51/42 、H01L51/48 、B82Y30/00 、B82Y40/00	主分类号	H01L51/46
是否联合申请	独立申请	文献类型号	B
独权数量	1	从权数量	8
权利要求数量	9	非专利引证数量	1
引用专利数量	4	被引证专利数量	0
非专利引证	1、Xinwei Zou等.Chemical bath depositionof Cu2O quantum dots onto ZnO nanorodarrays for application in photovoltaicdevices《.RSC Advances》.2015,第5卷;
引用专利	CN106549079A、KR20030067162A、CN107180882A、CN105826433A	被引证专利
专利权维持	5	专利申请国编码	CN
专利事件		事务标签	公开、实质审查、授权

申请人信息

申请人	浙江理工大学	第一申请人	浙江理工大学
专利权人	浙江理工大学	当前专利权人	浙江理工大学
发明人	赵海林、李小云、陈凯、樊寅翔、陈露、魏亚菊、王顺利、郭道友、李培刚	第一发明人	赵海林
地址	浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号	邮编	310000
申请人数量	1	发明人数量	9
申请人所在省	浙江省	申请人所在市	浙江省杭州市

代理人信息

代理机构

专利代理机构是经省专利管理局审核，国家知识产权局批准设立，可以接受委托人的委托，在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。

南京正联知识产权代理有限公司

代理人

专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务，取得一定资格的人。

顾伯兴

摘要

本发明属于光电探测器领域，具体涉及一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法，包括Ag电极、Cu2O纳米晶、GaOOH纳米柱阵列、Ga2O3籽晶层和FTO导电玻璃，所述Ga2O3籽晶层位于FTO导电玻璃上，所述Cu2O/GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，Cu2O/GaOOH纳米柱由GaOOH纳米柱和Cu2O纳米晶构成，所述GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，所述Cu2O纳米晶包裹于GaOOH纳米柱外周围。本发明制备的Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结具有大的比表面积，对光吸收强，能实现宽光谱探测，为构建高性能的光电探测器提供一种行之有效的方法，且该制备方法操作简单、成本便宜、重复性好，在未来的光电领域一定有巨大的应用前景。

摘要附图
说明书附图：图1
说明书附图：图2
说明书附图：图3
说明书附图：图4
说明书附图：图5
说明书附图：图6

法律状态

序号	法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1	2020-04-07	授权
2	2018-04-13	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 51/46 专利申请号: 201710961287.8 申请日: 2017.10.16
3	2018-03-20	公开

权利要求

权利要求书是申请文件最核心的部分，是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。

1.一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器，其特征在于，包括Ag电极、Cu2O纳米晶、GaOOH纳米柱阵列、Ga2O3籽晶层和FTO导电玻璃，所述Ga2O3籽晶层位于FTO导电玻璃上，所述Cu2O/GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，Cu2O/GaOOH纳米柱由GaOOH纳米柱和Cu2O纳米晶构成，所述GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，所述Cu2O纳米晶包裹于GaOOH纳米柱外周围。

2.根据权利要求1所述的一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器，其特征在于，所述GaOOH纳米柱是在FTO导电玻璃上沿着(110)晶面生长，且所述GaOOH纳米柱的横截面最大对角线的长度为400nm，柱高为2μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器，其特征在于，所述FTO导电玻璃包括导电层，所述导电层为掺氟的氧化锡，所述导电层的厚度为350nm。

4.一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，其特征在于，在FTO导电玻璃上涂覆一层Ga2O3籽晶层，采用水热法在Ga2O3籽晶层上生长GaOOH纳米柱阵列，并加入铜盐溶液水浴生长Cu2O纳米晶，形成Cu2O/GaOOH纳米核壳结构纳米阵列。

5.根据权利要求4所述的一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，其特征在于，还包括在Cu2O/GaOOH纳米核壳结构纳米阵列上涂覆银电极。

6.根据权利要求4所述的一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：
步骤一，FTO导电玻璃预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，然后在烘箱中干燥；
步骤二，Ga2O3籽晶层溶液的配制：取乙醇胺、异丙醇镓、乙二醇甲醚分别加入烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；
步骤三：籽晶层的制备：将步骤一处理后的FTO导电玻璃固定于匀胶/烘胶机的匀胶样品台上，滴入一定量的0.1M Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min的条件下，旋涂15秒；在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再500℃保温60min；
步骤四，羟基氧化镓纳米柱阵列的制备：将覆盖有Ga2O3籽晶层的FTO导电玻璃置于Ga(NO3)3生长溶液中，在不锈钢高压反应釜内150℃生长2～24小时得到GaOOH纳米柱阵列；
步骤五，生长Cu2O纳米晶：将覆盖有氧化镓纳米柱阵列的FTO导电玻璃斜靠在含有硝酸铜溶液的烧杯内壁，先加入三乙醇胺溶液，再缓慢加入水合肼溶液，滴完后，静置30～
60min，后处理，形成Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结；

7.根据权利要求6所述的一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤四的Ga(NO3)3生长溶液的浓度为0.005g/mL-0.01g/mL。

8.根据权利要求6所述的一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤五的硝酸铜溶液的浓度为0.01208g/mL。

9.根据权利要求6所述的一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤五的后处理为去离子水冲洗2或3次，并80℃干燥。

说明书

技术领域

[0001] 本发明属于光电探测器领域，具体涉及一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法。技术背景

[0002] 半导体器件在医疗卫生、科研教学、国防科技等领域的应用已越来越广泛，但如何改善半导体材料的光、电、热等性能，提高其可控性，逐渐成为人们的研究热点。异质结是两种不同的半导体相接触所形成的界面区域，通过形成内建电场使电子空穴对有效分离，减少复合，因此其具有两种半导体都不能达到的优良的光电特性，且在制作超高速开关器件、太阳能电池、半导体激光器、光电探测器以及催化剂等领域具有广阔的应用前景。

[0003] 氧化镓作为一种n型的直接带隙的宽禁带半导体材料，具有良好的发光特性和较高的化学稳定性和热稳定性，其在催化剂、气体传感器和光电探测器领域具有广泛的应用。在众多的制备氧化镓晶体的方法中，通过前躯体(GaOOH)的热处理制备Ga2O3，是一个简便而有效的途径。由于GaOOH禁带宽度较大，只能吸收紫外光，为了提高其对光谱的吸收范围，提高光的利用效率，常与窄带隙半导体材料进行复合构成复合材料或异质结。

[0004] 目前，关于pn结的制备方法主要是磁控溅射法、电化学沉积法。其中，磁控溅射法需要在一定的真空条件下，该方法操作复杂，成本昂贵；电化学沉积法对沉积电位、电解质溶液的PH值要求比较高，重复性差。

[0005] 因此，如何研发一种复合材料或异质结，使得其具有宽泛的光谱吸收范围，且广利用效率高，制备方法简单，成本低廉，效率高，是亟待研究解决的一项问题。

发明内容

[0006] 本发明的目的是为了解决上述技术问题，提供一种Cu2O/GaOOH纳米核壳 pn结光电探测器及其制备方法。

[0007] 本发明的技术方案为：一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器，其特征在于，包括Ag电极、Cu2O纳米晶、GaOOH纳米柱阵列、Ga2O3籽晶层和FTO 导电玻璃，所述Ga2O3籽晶层位于FTO导电玻璃上，所述Cu2O/GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，Cu2O/GaOOH纳米柱由GaOOH纳米柱和Cu2O纳米晶构成，所述GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上，所述Cu2O纳米晶包裹于GaOOH纳米柱外周围。

[0008] 进一步地，所述GaOOH纳米柱是在FTO导电玻璃上沿着(110)晶面生长，且所述GaOOH纳米柱的横截面最大对角线的长度为400nm，柱高为2μm。

[0009] 具体地，所述FTO导电玻璃作为制备GaOOH纳米柱阵列的衬底，同时FTO 导电玻璃也作为光电探测器的下电极，Ag电极作为光电探测器的上电极。

[0010] 具体地，所述FTO导电玻璃包括导电层，所述导电层为掺氟的氧化锡，所述导电层的厚度为350nm。

[0011] 本发明还包括，一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，其特征在于，在FTO导电玻璃上涂覆一层Ga2O3籽晶层，采用水热法在Ga2O3籽晶层上生长GaOOH纳米柱阵列，并加入铜盐溶液水浴生长Cu2O纳米晶，形成Cu2O/GaOOH纳米核壳结构纳米阵列。

[0012] 进一步地，还包括在Cu2O/GaOOH纳米核壳结构纳米阵列上涂覆银电极。

[0013] 优选地，一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，具体步骤包括：

[0014] 步骤一，FTO导电玻璃预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，然后在烘箱中干燥；

[0015] 步骤二，Ga2O3籽晶层溶液的配制：取乙醇胺、异丙醇镓、乙二醇甲醚分别加入烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；

[0016] 步骤三：籽晶层的制备：将步骤一处理后的FTO导电玻璃固定于匀胶/烘胶机的匀胶样品台上，滴入一定量的0.1M Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min 的条件下，旋涂15秒；在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再 500℃保温60min；

[0017] 步骤四，羟基氧化镓纳米柱阵列的制备：将覆盖有Ga2O3籽晶层的FTO导电玻璃置于Ga(NO3)3生长溶液中，在不锈钢高压反应釜内150℃生长2～24小时得到GaOOH纳米柱阵列；

[0018] 步骤五，生长Cu2O纳米晶：将覆盖有氧化镓纳米柱阵列的FTO导电玻璃斜靠在含有硝酸铜溶液的烧杯内壁，先加入三乙醇胺溶液，再缓慢加入水合肼溶液，滴完后，静置30～60min，后处理，形成Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结；

[0019] 优选地，所述步骤四的Ga(NO3)3生长溶液的浓度为0.005g/mL或0.01g/mL。

[0020] 优选地，所述步骤五的硝酸铜溶液的浓度为0.01208g/mL。

[0021] 具体地，所述步骤五的后处理为去离子水冲洗2或3次，并80℃干燥。

[0022] 本发明的有益效果：

[0023] 1、本发明的Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器是一种宽光谱的光电探测器，其中GaOOH与Cu2O形成pn结，使电子空穴对实现快速、有效地分离。具有宽范围的光谱吸收能力，Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结是三维立体的，分布均匀且接触面积大，结的利用效率高，对光的吸收强、范围广。

[0024] 2、本发明的Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器制备方法，利用水热法制备异质结方法简单，成本低，效率高。

[0025] 3、本发明的Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器制备方法，成本低、易操作、周期短、重复性好，为下一步羟基氧化镓/氧化亚铜异质结相关光电器件的大规模生产创造了良好的前提条件。

实施方案

[0032] 下面结合实施例和附图对本发明做进一步的解释。

[0033] 实施例1

[0034] 一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法，在FTO导电玻璃上涂覆一层Ga2O3籽晶层，采用水热法在Ga2O3籽晶层上生长GaOOH纳米柱阵列，并加入铜盐溶液水浴生长Cu2O纳米晶，形成Cu2O/GaOOH纳米核壳结构纳米阵列。还包括在Cu2O/GaOOH纳米核壳结构纳米阵列上涂覆银电极。

[0035] Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法的具体步骤如下：

[0036] (1)FTO导电玻璃衬底预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10 min，然后在烘箱中干燥；

[0037] (2)籽晶层溶液的配制：取18μL乙醇胺、0.0741g的异丙醇镓、2.98mL 的乙二醇甲醚分别加入5mL的烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；

[0038] (3)籽晶层的制备：将步骤1)处理后的FTO导电玻璃衬底固定于匀胶/烘胶机的匀胶样品台上，滴入一定量的0.1M Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min 的条件下，旋涂15秒。在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再 500℃保温60min。

[0039] (4)羟基氧化镓纳米柱阵列的制备：将覆盖有Ga2O3籽晶层的FTO导电玻璃衬底置于0.15g/30mL Ga(NO3)3生长溶液中，在不锈钢高压反应釜内150℃生长 2小时得到GaOOH纳米柱阵列，如图2所示为GaOOH纳米柱阵列的扫描电镜图。

[0040] (5)配制硝酸铜溶液：取0.4832g硝酸铜加入到40mL的去离子水中，搅拌 10分钟，充分溶解。

[0041] (6)生长Cu2O纳米晶：将覆盖有氧化镓纳米柱阵列的FTO导电玻璃斜靠在含有硝酸铜溶液的烧杯内壁，先加入1.699mL的78％的三乙醇胺溶液，再缓慢加入242.5μL的80％的水合肼溶液，滴完后，静置30min。

[0042] (7)后处理：取出FTO导电玻璃，用去离子水冲洗2或3次，置于烘箱中80℃干燥，即得到Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结。如图3所示为Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结的扫描电镜图。如图4所示为形成的GaOOH纳米柱阵列、以及 Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结的XRD图谱，从图中可以看出最终制备的产品含有Cu2O和GaOOH。图5为Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结的紫外可见吸收光谱图，可知，在FTO上沉积的Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结的紫外可见吸收光谱图的带宽相比单纯的GaOOH紫外可见吸收光谱图的带宽宽，可有效提高其对光谱的吸收范围，提高光的利用效率。图6是Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的在不同波长(254nm,，365nm和532nm)光照下的I-V曲线，可知，随着波长的增加，其I-V曲线逐渐趋向于线性，且相同电压下，电流也不断增加。

[0043] 实施例2

[0044] 本实施例与实施例1的不同之处在于，步骤(4)的Ga(NO3)3生长溶液的浓度为0.3g/30mL，在不锈钢高压反应釜内150℃生长时间为12小时，其余均与实施例1相同。

[0045] 具体为，Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法的具体步骤如下：

[0046] (1)FTO导电玻璃衬底预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10 min，然后在烘箱中干燥；

[0047] (2)籽晶层溶液的配制：取18μL乙醇胺、0.0741g的异丙醇镓、2.98mL 的乙二醇甲醚分别加入5mL的烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；

[0048] (3)籽晶层的制备：将步骤1)处理后的FTO导电玻璃衬底固定于匀胶/烘胶机的匀胶样品台上，滴入一定量的0.1M Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min 的条件下，旋涂15秒。在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再 500℃保温60min。

[0049] (4)羟基氧化镓纳米柱阵列的制备：将覆盖有Ga2O3籽晶层的FTO导电玻璃衬底置于0.3g/30mL Ga(NO3)3生长溶液中，在不锈钢高压反应釜内150℃生长 12小时得到GaOOH纳米柱阵列。

[0050] (5)配制硝酸铜溶液：取0.4832g硝酸铜加入到40mL的去离子水中，搅拌 10分钟，充分溶解。

[0051] (6)生长Cu2O纳米晶：将覆盖有氧化镓纳米柱阵列的FTO导电玻璃斜靠在含有硝酸铜溶液的烧杯内壁，先加入1.699mL的78％的三乙醇胺溶液，再缓慢加入242.5μL的80％的水合肼溶液，滴完后，静置30min。

[0052] (7)后处理：取出FTO导电玻璃，用去离子水冲洗2或3次，置于烘箱中80℃干燥，即得到Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结。

[0053] 实施例3

[0054] 本实施例与实施例1的不同之处在于，步骤(6)的加入的80％的水合肼溶液的量为300μL，其余均与实施例1相同。

[0055] 具体为，Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法的具体步骤如下：

[0056] (1)FTO导电玻璃衬底预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10 min，然后在烘箱中干燥；

[0057] (2)籽晶层溶液的配制：取18μL乙醇胺、0.0741g的异丙醇镓、2.98mL 的乙二醇甲醚分别加入5mL的烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；

[0058] (3)籽晶层的制备：将步骤1)处理后的FTO导电玻璃衬底固定于匀胶/烘胶机的匀胶样品台上，滴入一定量的0.1M Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min 的条件下，旋涂15秒。在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再 500℃保温60min。

[0059] (4)羟基氧化镓纳米柱阵列的制备：将覆盖有Ga2O3籽晶层的FTO导电玻璃衬底置于0.15g/30mL Ga(NO3)3生长溶液中，在不锈钢高压反应釜内150℃生长 2小时得到GaOOH纳米柱阵列。

[0060] (5)配制硝酸铜溶液：取0.4832g硝酸铜加入到40mL的去离子水中，搅拌 10分钟，充分溶解。

[0061] (6)生长Cu2O纳米晶：将覆盖有氧化镓纳米柱阵列的FTO导电玻璃斜靠在含有硝酸铜溶液的烧杯内壁，先加入1.699mL的78％的三乙醇胺溶液，再缓慢加入300μL的80％的水合肼溶液，滴完后，静置30min。

[0062] (7)后处理：取出FTO导电玻璃，用去离子水冲洗2或3次，置于烘箱中80℃干燥，即得到Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结。

[0063] 实施例4

[0064] 本实施例与实施例1的不同之处在于，步骤(6)的加入的80％的水合肼溶液的量为400μL，静置时间为60min，其余均与实施例1相同。

[0065] 具体为，Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的制备方法的具体步骤如下：

[0066] (1)FTO导电玻璃衬底预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10 min，然后在烘箱中干燥；

[0067] (2)籽晶层溶液的配制：取18μL乙醇胺、0.0741g的异丙醇镓、2.98mL 的乙二醇甲醚分别加入5mL的烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；

[0068] (3)籽晶层的制备：将步骤1)处理后的FTO导电玻璃衬底固定于匀胶/烘胶机的匀胶样品台上，滴入一定量的0.1M Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min 的条件下，旋涂15秒。在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再 500℃保温60min。

[0069] (4)羟基氧化镓纳米柱阵列的制备：将覆盖有Ga2O3籽晶层的FTO导电玻璃衬底置于0.15g/30mL Ga(NO3)3生长溶液中，在不锈钢高压反应釜内150℃生长2小时得到GaOOH纳米柱阵列。

[0070] (5)配制硝酸铜溶液：取0.4832g硝酸铜加入到40mL的去离子水中，搅拌 10分钟，充分溶解。

[0071] (6)生长Cu2O纳米晶：将覆盖有氧化镓纳米柱阵列的FTO导电玻璃斜靠在含有硝酸铜溶液的烧杯内壁，先加入1.699mL的78％的三乙醇胺溶液，再缓慢加入400μL的80％的水合肼溶液，滴完后，静置60min。

[0072] (7)后处理：取出FTO导电玻璃，用去离子水冲洗2或3次，置于烘箱中80℃干燥，即得到Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结。

[0073] 实施例5

[0074] 如图1所示，一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器，其特征在于，包括Ag电极1、Cu2O/GaOOH纳米柱阵列2、Ga2O3籽晶层3和FTO导电玻璃 4，所述Ga2O3籽晶层3位于FTO导电玻璃上，所述Cu2O/GaOOH纳米柱阵列2 位于Ga2O3籽晶层3上，Cu2O/GaOOH纳米柱由GaOOH纳米柱和Cu2O纳米晶构成，所述GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层3上，所述Cu2O纳米晶包裹于GaOOH纳米柱外周围。

[0075] 具体地，所述GaOOH纳米柱是在FTO导电玻璃4上沿着(110)晶面生长，且所述GaOOH纳米柱的横截面最大对角线的长度为400nm，柱高为2μm。

[0076] 具体地，所述FTO导电玻璃4作为制备GaOOH纳米柱阵列的衬底，同时 FTO导电玻璃4也作为光电探测器的下电极，Ag电极1作为光电探测器的上电极。

[0077] 进一步地，所述FTO导电玻璃4包括导电层，所述导电层为掺氟的氧化锡，所述导电层的厚度为350nm。

附图说明

[0026] 图1是Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的结构示意图。

[0027] 图2是GaOOH纳米柱阵列的扫描电镜图。

[0028] 图3是Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结的扫描电镜图。

[0029] 图4是Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结的XRD图。

[0030] 图5是Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结的紫外可见吸收光谱图。

[0031] 图6是Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器的在不同波长(254nm，365nm 和532nm)光照下的I-V曲线。

1一种光探测器原型器件的制备方法 2一种紫外光电探测器及其制备方法 3阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法 4一种提高检测精度的光热探测器及其制备方法 5一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法 6一种基于新型空穴传输层的光电探测器及其制备方法 7基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 8基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及其制备方法 9基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件