实施方案
[0018] 实施例1：
[0019] 本实施例以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线步骤如下：
[0020] 1、将质量分数百分比为21.4%可膨胀石墨、质量分数百分比为25%的工业硅粉和质量分数百分比为53.6%的二氧化硅粉混合并研磨均匀置于高纯度石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内；
[0021] 2、抽真空并充入保护气体为氮气, 制备过程炉内压强低于1MPa；
[0022] 3、高温气氛箱式炉升至1500℃，保温烧结6h；
[0023] 4、随炉自然冷却至室温，开炉即得墨绿色SiC纳米线，如图1所示纳米线的直径约100nm。
[0024] 实施例2：
[0025] 本实施例以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线步骤如下：
[0026] 1、将正硅酸乙酯溶解于无水乙醇中，加入草酸以加速正硅酸乙酯水解，正硅酸乙酯：无水乙醇：水的摩尔比为1:0.86:4，草酸稀释至0.01mol/L。然后加入可膨胀石墨，正硅酸乙酯：可膨胀石墨的摩尔比为1：1；
[0027] 2、磁力搅拌配制混合凝胶，凝胶在70℃干燥4小时，再升至90℃干燥4小时，再升至110℃干燥4小时；研磨成粉状置于高纯石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内；
[0028] 3、抽真空并充入保护气体为氩气, 制备过程炉内压强低于1MPa；
[0029] 4、高温箱式气氛炉升至1500℃，保温烧结6h；
[0030] 5、随炉自然冷却至室温，开炉即得浅绿色SiC纳米线，如图2所示纳米线的直径约100nm。
[0031] 实施例3：
[0032] 本实施例与实施例1不同在于步骤1中将质量分数百分比为5.2%可膨胀石墨、质量分数百分比为30.2%的工业硅粉和质量分数百分比为64.6%的二氧化硅粉混合并研磨均匀；步骤3中温度升至1300℃。其他步骤与实施例1相同。开炉即得墨绿色SiC纳米线，直径约为10nm。
[0033] 实施例4：
[0034] 本实施例与实施例1不同在于步骤1中将质量分数百分比为8.3%可膨胀石墨、质量分数百分比为29.2%的工业硅粉和质量分数百分比为62.5%的二氧化硅粉混合并研磨均匀；步骤3中温度升至1600℃，保温烧结2h。其他步骤与实施例1相同。开炉即得墨绿色SiC纳米线，直径约为50nm。
[0035] 实施例5：
[0036] 本实施例与实施例1不同在于步骤1中将质量分数百分比为57.7%可膨胀石墨、质量分数百分比为13.5%的工业硅粉和质量分数百分比为28.8%的二氧化硅粉混合并研磨均匀；步骤3中温度升至1800℃，保温烧结8h。其他步骤与实施例1相同。开炉即得墨绿色SiC纳米线，直径约为80nm。
[0037] 实施例6：
[0038] 本实施例与实施例2不同在于步骤1中正硅酸乙酯：可膨胀石墨的摩尔比为1：0.2；步骤4中温度升至1300℃。其他步骤与实施例2相同。开炉即得浅绿色SiC纳米线，直径约为200nm。
[0039] 实施例7：
[0040] 本实施例与实施例2不同在于步骤1中正硅酸乙酯：可膨胀石墨的摩尔比为1：2；步骤4中温度升至1600℃，保温烧结2h。其他步骤与实施例2相同。开炉即得灰白色SiC纳米线，直径约为300nm。
[0041] 实施例8：
[0042] 本实施例与实施例2不同在于步骤1中正硅酸乙酯：可膨胀石墨的摩尔比为1：5；步骤4中温度升至1800℃，保温烧结8h。其他步骤与实施例2相同。开炉即得灰白色SiC纳米线，直径约为500nm。
