[0025] 下面给出本发明的二个最佳实施例:
[0026] 实施例1
[0027] 本实施例所述的ZrNbC/ZrNbCN叠层涂层刀具,该刀具为普通的铣刀片,其刀具基体材料为:硬质合金M05,在刀具基体表面沉积有涂层,所述涂层自内到外依次为:Ti过渡层、ZrNbC涂层与ZrNbCN涂层交替的复合叠层结构,最外层为ZrNbCN涂层。
[0028] 本实施例所述的ZrNbC/ZrNbCN叠层涂层刀具的制备工艺,沉积方式为采用非平衡磁控溅射+中频磁控溅射复合镀膜方法,沉积时使用2个非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶,2个中频磁控溅射Ti靶:首先采用中频磁控溅射沉积Ti过渡层,然后采用非平衡磁控溅射方法交替沉积ZrNbC涂层与ZrNbCN涂层,最外层为ZrNbCN涂层。
[0029] 所述非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶中包含重量分数为60wt%的Zr、20wt%的Nb和20wt%的C。
[0030] 所述的ZrNbC/ZrNbCN叠层涂层刀具的制备工艺,具体包括以下步骤:
[0031] (1)对刀具基体表面前处理:首先将刀具基体表面抛光,去除表面油污、锈迹等杂质,然后依次放入酒精和丙酮中,超声清洗各40min,去除刀具表面油污和其它附着物,电吹风干燥充分后迅速放入镀膜机,抽真空至7.0×10-3Pa,加热至260℃,保温35min;
[0032] (2)对刀具基体表面离子清洗:通Ar气,调其压力为1.2Pa,开启偏压电源,电压500V,占空比0.4,辉光放电清洗30min;降低偏压至400V,占空比0.3,开启离子源离子清洗
30min,开启中频磁控溅射Ti靶电源,调Ti靶电流30A,偏压300V,占空比0.2,离子轰击2~
3min;
[0033] (3)在刀具基体表面沉积Ti过渡层:调Ar气压0.7~0.8Pa,偏压降至210V,中频磁控溅射Ti靶电流35A,沉积温度200℃,沉积Ti过渡层4~5min;
[0034] (4)采用中频磁控溅射在Ti过渡层上沉积ZrNbC涂层:调Ar气压0.8~0.9Pa,偏压调至160V,沉积温度210℃,开启非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶电流35A,沉积ZrNbC涂层2~3min;
[0035] (5)采用非平衡磁控溅射在ZrNbC涂层上沉积ZrNbCN涂层:开启N2,N2气压为1.2Pa,调Ar气压0.7~0.8Pa,偏压180V,非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶电流40A,沉积温度210℃,复合沉积ZrNbCN涂层2~3min,沉积完成后关闭N2;
[0036] (6)采用非平衡磁控溅射在ZrNbCN涂层上沉积ZrNbC涂层:调Ar气压0.8~0.9Pa,偏压调至160V,沉积温度210℃,开启非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶电流35A,沉积ZrNbC涂层2~3min;
[0037] (7)重复(5)、(6)、(5)…(5),交替沉积ZrNbCN涂层、ZrNbC涂层、ZrNbCN涂层···ZrNbCN涂层,最外层为ZrNbCN涂层,共沉积80min:
[0038] (8)后处理:关闭各靶电源、离子源及气体源,涂层结束。
[0039] 实施例2
[0040] 本实施例所述的ZrNbC/ZrNbCN叠层涂层刀具,该刀具为普通的铣刀片,其刀具基体材料为:高速钢W18Cr4V,在刀具基体表面沉积有涂层,所述涂层自内到外依次为:Ti过渡层、ZrNbC涂层与ZrNbCN涂层交替的复合叠层结构,最外层为ZrNbCN涂层。
[0041] 本实施例所述的ZrNbC/ZrNbCN叠层涂层刀具的制备工艺,沉积方式为采用非平衡磁控溅射+中频磁控溅射复合镀膜方法,沉积时使用2个非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶,2个中频磁控溅射Ti靶:首先采用中频磁控溅射沉积Ti过渡层,然后采用非平衡磁控溅射方法交替沉积ZrNbC涂层与ZrNbCN涂层,最外层为ZrNbCN涂层。
[0042] 所述非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶中包含重量分数为80wt%的Zr、10wt%的Nb和10wt%的C。
[0043] 所述的ZrNbC/ZrNbCN叠层涂层刀具的制备工艺,具体包括以下步骤:
[0044] (1)对刀具基体表面前处理:首先将刀具基体表面抛光,去除表面油污、锈迹等杂质,然后依次放入酒精和丙酮中,超声清洗各40min,去除刀具表面油污和其它附着物,电吹风干燥充分后迅速放入镀膜机,抽真空至7.0×10-3Pa,加热至260℃,保温35min;
[0045] (2)对刀具基体表面离子清洗:通Ar气,调其压力为1.2Pa,开启偏压电源,电压500V,占空比0.4,辉光放电清洗30min;降低偏压至400V,占空比0.3,开启离子源离子清洗
30min,开启中频磁控溅射Ti靶电源,调Ti靶电流30A,偏压300V,占空比0.2,离子轰击2~
3min;
[0046] (3)在刀具基体表面沉积Ti过渡层:调Ar气压0.7~0.8Pa,偏压降至210V,中频磁控溅射Ti靶电流35A,沉积温度200℃,沉积Ti过渡层4~5min;
[0047] (4)采用中频磁控溅射在Ti过渡层上沉积ZrNbC涂层:调Ar气压0.8~0.9Pa,偏压调至160V,沉积温度210℃,开启非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶电流35A,沉积ZrNbC涂层2~3min;
[0048] (5)采用非平衡磁控溅射在ZrNbC涂层上沉积ZrNbCN涂层:开启N2,N2气压为1.2Pa,调Ar气压0.7~0.8Pa,偏压180V,非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶电流40A,沉积温度210℃,复合沉积ZrNbCN涂层2~3min,沉积完成后关闭N2;
[0049] (6)采用非平衡磁控溅射在ZrNbCN涂层上沉积ZrNbC涂层:调Ar气压0.8~0.9Pa,偏压调至160V,沉积温度210℃,开启非平衡磁控溅射ZrNbC复合靶电流35A,沉积ZrNbC涂层2~3min;
[0050] (7)重复(5)、(6)、(5)…(5),交替沉积ZrNbCN涂层、ZrNbC涂层、ZrNbCN涂层···ZrNbCN涂层,最外层为ZrNbCN涂层,共沉积80min:
[0051] (8)后处理:关闭各靶电源、离子源及气体源,涂层结束。