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一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2022-09-15
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2022-12-13
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2032-09-15
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 实用新型
申请号 CN202222441673.3 申请日 2022-09-15
公开/公告号 CN218039767U 公开/公告日 2022-12-13
授权日 2022-12-13 预估到期日 2032-09-15
申请年 2022年 公开/公告年 2022年
缴费截止日
分类号 H01P1/207 主分类号 H01P1/207
是否联合申请 联合申请 文献类型号 U
独权数量 1 从权数量 9
权利要求数量 10 非专利引证数量 0
引用专利数量 0 被引证专利数量 0
非专利引证
引用专利 被引证专利
专利权维持 0 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 授权
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司,杭州电子科技大学 当前专利权人 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司,杭州电子科技大学
发明人 刘国华、宋宇、尤明晖、余建源、程知群 第一发明人 刘国华
地址 浙江省杭州市富阳区银湖街道银湖花苑3号楼三层 邮编 311400
申请人数量 2 发明人数量 5
申请人所在省 浙江省 申请人所在市 浙江省杭州市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
浙江永鼎律师事务所 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
金肯晗
摘要
本实用新型公开了一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构,谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环,记为宽阻谐振环,上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线,记为宽阻容性开槽线,下层金属刻蚀形成缺陷地;双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构,谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环,四个开口谐振环按大小不同分成两组记为大谐振环和小谐振环,上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线,记为双频容性开槽线,沿横向刻蚀形成栅状开槽线,上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线,谐振腔内部设有金属沉孔,连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
  • 摘要附图
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
  • 说明书附图:图1
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
  • 说明书附图:图2
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
  • 说明书附图:图3
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
  • 说明书附图:图4
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
  • 说明书附图:图5
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
  • 说明书附图:图6
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
  • 说明书附图:图7
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
  • 说明书附图:图8
    一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2022-12-13 授权
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,包括宽阻带带通滤波器和双频带带通滤波器,其中,
所述宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构,谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环,记为宽阻谐振环,上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线,记为宽阻容性开槽线,下层金属刻蚀形成缺陷地;
所述双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构,谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环,四个开口谐振环按大小不同分成两组,记为大谐振环和小谐振环,上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线,记为双频容性开槽线,沿横向刻蚀形成栅状开槽线,上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线,谐振腔内部设有金属沉孔,连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。

2.根据权利要求1所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,所述单腔基片集成波导结构为单层介质基板,上下各覆盖有金属层,上金属层边缘位置打有金属通孔形成一个谐振腔。

3.根据权利要求1所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,所述宽阻谐振环为双环结构,其中外环为方形互补开口谐振环,内环为圆形开口谐振环,四个宽阻谐振环具有相同的形状和大小,均匀排列在谐振腔上金属层的四个位置,呈矩形分布。

4.根据权利要求3所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,所述宽阻谐振环等效为并联LC谐振电路,其中等效电感LC和等效电容CC根据宽阻谐振环的形状和大小得出,关系式为:
B(x)=S0(x)J1(x)‑S1(x)J0(x)
其中,rb、ra分别为外环内切圆半径和内环半径,Lpul为每单位长度电感,c为光在真空中的速度,ε0为真空介电常数,εr为介质基板的介电常数,h为介质基板厚度,Sn和Jn为n阶斯特鲁夫和贝塞尔函数,计算出谐振环的谐振频率:

5.根据权利要求1所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,所述宽阻容性开槽线为在上层金属层中间位置刻蚀金属形成的凹槽线,方向垂直于输入输出馈线方向。

6.根据权利要求1所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,所述缺陷地为哑铃状,设置4个排列在输入输出馈线的下方金属层,并垂直于输入输出馈线。

7.根据权利要求1所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,所述栅状开槽线为在谐振腔上层金属中间位置平行于输入输出馈线的槽线。

8.根据权利要求1所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,所述开槽微带线对称地设置在输入输出接口处,刻蚀部分金属,剩下的部分形成终端开路的微带线结构。

9.根据权利要求1所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,所述慢波基片集成波导结构为在谐振腔介质基板内部,通过激光技术,开凿出均匀排列的金属沉孔,金属沉孔的一端连接谐振腔底面金属,另一端在谐振腔介质基板内部。

10.根据权利要求9所述的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,其特征在于,对于慢波基片集成波导,其等效介电常数为:
其中,h为介质基板总厚度,h2金属沉孔的高度,且h=h1+h2,εr为介质基板介电常数,则,慢波基片集成波导谐振腔谐振频率为:
其中,WS和L分别为谐振腔的等效宽度和长度,fTEmon‑SIW为谐振腔TEmon模的谐振频率。
说明书

技术领域

[0001] 本实用新型属于微波射频通信技术领域,涉及一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器。

背景技术

[0002] 随着无线通信技术的迅速发展,射频器件被要求具有更优的性能。作为射频器件的主要元件之一的带通滤波器,就要求具有更紧凑的结构,更好的滤波性能以及便于集成的特点。基片集成波导在微波和毫米波领域都有广泛的应用,因其具有相对较高的品质因数,功率容量高,体积小,容易集成,成本低等优点,在全世界范围内吸引了大量研究员的注意。采用了基片集成波导结构的滤波器具有低插损,低成本,高选择性,以及易于集成等优点,能很好的满足现代无线通信系统的要求。
[0003] 然而目前关于基片集成波导滤波器的设计大多采用了多个波导谐振腔耦合的结构,这种结构虽然具有优良的矩形系数,但谐振腔数量越多也就意味着电路本身带来的插损也就越大,以及电路整体尺寸也随之增大。虽然许多设计中采用的多层介质基板结构可以缓解尺寸增大的问题,但多层电路板也带来了不易集成的缺点。
[0004] 针对目前的技术问题,有必要设计一种基片集成波导带通滤波器,既具有较好的矩形系数和较低的带内插损,又能维持基片集成波导结构体积小,易集成的优点不受影响。实用新型内容
[0005] 为了克服现有技术中的困难,本实用新型提出了具有带内波纹抑制功能的微型基片集成波导滤波器,包括一种宽阻带滤波器和一种双通带滤波器。滤波器以基片集成波导结构为基础,在波导谐振腔上金属层通过刻蚀金属形成四个新型互补开口谐振环,谐振环间具有容性开槽线。宽阻带滤波器中应用了缺陷地结构;双通带滤波器中采用了慢波基片集成波导结构和对称开槽线接口结构。
[0006] 为达到上述目的,本实用新型的技术方案为:
[0007] 一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器,包括宽阻带带通滤波器和双频带带通滤波器,其中,
[0008] 所述宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构,谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环,记为宽阻谐振环,上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线,记为宽阻容性开槽线,下层金属刻蚀形成缺陷地;
[0009] 所述双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构,谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环,四个开口谐振环按大小不同分成两组记为大谐振环和小谐振环,上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线,记为双频容性开槽线,沿横向刻蚀形成栅状开槽线,上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线,谐振腔内部设有金属沉孔,连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。
[0010] 优选地,所述单腔基片集成波导结构为单层介质基板,上下各覆盖有金属层,上金属层边缘位置打有金属通孔形成一个谐振腔。
[0011] 优选地,所述宽阻谐振环为双环结构,其中外环为方形互补开口谐振环,内环为圆形开口谐振环,四个宽阻谐振环具有相同的形状和大小,均匀排列在谐振腔上金属层的四个位置,呈矩形分布。
[0012] 优选地,所述宽阻谐振环等效为并联LC谐振电路,其中等效电感LC和等效电容CC根据宽阻谐振环的形状和大小得出,关系式为:
[0013]
[0014]
[0015] B(x)=S0(x)J1(x)‑S1(x)J0(x)
[0016] 其中,rb、ra分别为外环内切圆半径和内环半径,Lpul为每单位长度电感,c为光在真空中的速度,ε0为真空介电常数,εr为介质基板的介电常数,h为介质基板厚度,Sn和Jn为n阶斯特鲁夫和贝塞尔函数,计算出谐振环的谐振频率:
[0017]
[0018] 优选地,所述宽阻容性开槽线为在上层金属层中间位置刻蚀金属形成的凹槽线,方向垂直于输入输出馈线方向。
[0019] 优选地,所述缺陷地为哑铃状,设置4个排列在输入输出馈线的下方金属层,并垂直于输入输出馈线。
[0020] 优选地,所述栅状开槽线为在谐振腔上层金属中间位置平行于输入输出馈线的槽线。
[0021] 优选地,所述开槽微带线对称地设置在输入输出接口处,刻蚀部分金属,剩下的部分形成终端开路的微带线结构。
[0022] 优选地,所述慢波基片集成波导结构为在谐振腔介质基板内部,通过激光技术,开凿出均匀排列的金属沉孔,金属沉孔的一端连接谐振腔底面金属,另一端在谐振腔介质基板内部。
[0023] 优选地,对于慢波基片集成波导,其等效介电常数为:
[0024]
[0025] 其中,h为介质基板总厚度,h2金属沉孔的高度,且h=h1+h2,εr为介质基板介电常数,则,慢波基片集成波导谐振腔谐振频率为:
[0026]
[0027] 其中,WS和L分别为谐振腔的等效宽度和长度,fTEmon‑SIW为谐振腔TEmon模的谐振频率。
[0028] 本实用新型利用基片集成波导的高通性和互补开口谐振环的带阻特性来设计带通滤波,开口谐振环间的容性开槽线能够降低谐振环间的耦合从而抑制了带内波纹。宽阻带带通滤波器中的缺陷地结构具有低通特性可以拓展滤波器的阻带。双通带滤波器中采用了慢波基片集成波导结构,可以降低谐振腔的谐振频率,进而减小滤波器的整体尺寸,对称开槽微带线结构可以引入传输零点,来提高通带的选择性。
[0029] 与现有技术相比较,本实用新型具有如下技术效果:
[0030] 1、本实用新型采用的单层单腔基片集成波导加载互补开口谐振环的结构代替了传统多腔体基片集成波导滤波器,在保证滤波器整体特性不变的情况下,避免了传统多腔体基片集成波导滤波器大体积、插损较大的问题,以及多层电路的不易集成的问题;
[0031] 2、本实用新型采用的容性开槽线结构,以等效成电容的方式,可以降低谐振环之间的耦合,使谐振环的间距较小的情况下也能抑制因强耦合而产生的带内波纹;
[0032] 3、因为本实用新型设计滤波器包含6G以下的5G频段(4.8GHz‑5.0GHz),所以本实用新型能够应用在5G通信基站,作为通信基站功放的后级电路使用。

实施方案

[0041] 为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0042] 相反,本实用新型涵盖任何由权利要求定义的在本实用新型的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。进一步,为了使公众对本实用新型有更好的了解,在下文对本实用新型的细节描述中,详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本实用新型。
[0043] 参见图2所示具有带内波纹抑制功能的微型基片集成波导滤波器,包括宽阻带滤波器和双通带滤波器。两个滤波器以基片集成波导结构为基础,在波导谐振腔上金属层通过刻蚀金属形成四个互补开口谐振环,谐振环间具有容性开槽线。宽阻带滤波器中应用了缺陷地结构;双通带滤波器中采用了慢波基片集成波导结构和对称开槽线接口结构。与图1所示传统多腔体基片集成波导滤波器结构相比,本实用新型只采用了单个单层的基片集成波导谐振腔,最大程度上减小了多腔体结构或多层结构引入的插入损耗以及体积大、不易集成的缺点。
[0044] 宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构,谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环,记为宽阻谐振环11,上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线,记为宽阻容性开槽线12,下层金属刻蚀形成缺陷地13;
[0045] 双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构,谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环,四个开口谐振环按大小不同分成两组记为大谐振环21和小谐振环22,上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线,记为双频容性开槽线23,沿横向刻蚀形成栅状开槽线24,上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线25,谐振腔内部设有金属沉孔26,连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。
[0046] 单腔基片集成波导结构为单层介质基板,上下各覆盖有金属层,上金属层边缘位置打有金属通孔14形成一个谐振腔。
[0047] 宽阻谐振环11为双环结构,其中外环为方形互补开口谐振环,内环为圆形开口谐振环,四个宽阻谐振环11具有相同的形状和大小,均匀排列在谐振腔上金属层的四个位置,呈矩形分布。
[0048] 具体实施例中,图3为本实用新型的新型互补开口谐振环,为双环结构,其中,外环为方形互补开口谐振环,内环为圆形开口谐振环,此结构能同时具有方形互补谐振环高选择性和圆形谐振环宽阻带的特点。每个互补开口谐振环可以等效成一个并联LC谐振电路,电路中等效电感LC和等效电容CC可以根据谐振环的形状和大小得出,关系式为:
[0049]
[0050]
[0051] B(x)=S0(x)J1(x)‑S1(x)J0(x)
[0052] 其中,rb、ra分别为外环内切圆半径和内环半径,Lpul为每单位长度电感,c为光在真空中的速度,ε0为真空介电常数,ε为介质基板的介电常数,h为介质基板厚度,Sn和Jn为n阶斯特鲁夫和贝塞尔函数。可以计算出谐振环的谐振频率:
[0053]
[0054] 对于双频带带通滤波器,栅状开槽线24为在谐振腔上层金属中间位置平行于输入输出馈线的槽线。
[0055] 开槽微带线25对称地设置在输入输出接口处,刻蚀部分金属,剩下的部分形成终端开路的微带线结构。
[0056] 慢波基片集成波导结构为在谐振腔介质基板内部,通过激光技术,开凿出均匀排列的金属沉孔26,金属沉孔26的一端连接谐振腔底面金属,另一端在谐振腔介质基板内部。对于慢波基片集成波导,其等效介电常数为:
[0057]
[0058] 其中,h为介质基板总厚度,h2金属沉孔26的高度,且h=h1+h2,εr为介质基板介电常数,则,慢波基片集成波导谐振腔谐振频率为:
[0059]
[0060] 其中,WS和L分别为谐振腔的等效宽度和长度,fTEmon‑SIW为谐振腔TEmon模的谐振频率。
[0061] 参见图4为加载了本实用新型的新型互补开口谐振环的基片集成波导滤波器与加载了传统互补开口谐振环的基片集成波导滤波器的结构,以及他们的S参数仿真对比(IV)。(II)为传统方形双环互补开口谐振环,虽然谐振频率较低,使得通带选择性相较于其他两种更好,但是其除了阻带范围较窄之外还有带内波纹比较大的缺点。同样,虽然传统圆形双环互补开口谐振环(I)带内波纹比较小,但其阻带仍然较窄,并且其通带中心频率也明显高于另外两种,不能满足电路小型化的需求。而本实用新型的新型互补开口谐振环(III),同时具备带内波纹小,阻带宽的优点,并且通带中心频率也没明显提高,满足了小型化高性能的要求。因此,本实用新型的新型互补开口谐振环是三种互补开口谐振环作为谐振单元最好的选择。
[0062] 参见图5为本实施例的容性开槽线对滤波器S参数的影响,这里将未使用容性开槽线滤波器的S参数作为对比,其中图5(I)与图5(II)为以互补开口谐振环的间距Sg为变量滤波器S11的变化,S11波动越小代表波纹越小,图5(III)为两个滤波器在相同间距Sg下的S21和S11,两个滤波器除有无开槽线外,其余结构相同。具有本文实用新型的容性槽线滤波器中,当互补开口谐振环间距达到2.2mm时,通带内的波纹就已明显变小,而未采用槽线的滤波器的互补开口谐振环间距在3.6mm左右时才达到前者的效果,图5(III)表明相同距离下,不管是带内波纹,还是在通带选择性上前者都具有更优异的性能。
[0063] 参见图6为本实施例缺陷地13谐振频率关于结构尺寸的变化,可以看出其谐振频率随整体尺寸的变大而减小。图6(I)为缺陷地13的结构图,图6(II)和(III)为缺陷地13谐振频率关于结构尺寸的变化图,本实用新型中选择哑铃型缺陷地13槽线长度Lg为6.8mm、6.0mm、3.7mm、3.3mm的组合,矩形部分宽度gr=0.2mm,半圆部分直径r=1.3mm。
[0064] 参见图7和图8为本实用新型的两种滤波器的测量图。从S参数中可以看到,宽阻带带通滤波器的小于‑20dB阻带范围达到了3.3倍的中心频率,两种滤波器都具有较好的选择性,整体结果符合预期。两种滤波器电路实际尺寸都很小,宽阻带带通滤波器的长度小于3cm,双频带带通滤波器的长度小于4cm,具体来说,分别只有0.43λg×0.41λg和0.37λg×
0.32λg(λg为第一通带对应的波导波长),远小于市面上多数同级别滤波器。仿真和测量的一些偏差是由于加工精度和SMA接口损耗导致的。总体上测量结果与仿真结果相似度较高,验证了本实用新型方案的可行性。
[0065] 以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

附图说明

[0033] 图1为现有技术多腔体基片集成波导滤波器结构示意图;
[0034] 图2为本实用新型实施例的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器的结构示意图;
[0035] 图3为本实用新型实施例的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器的新型互补开口谐振环(a)和其等效LC电路示意图(b);
[0036] 图4为加载了现有技术开口谐振环的半模基片集成波导滤波器与加载了本实用新型新型开口谐振环的半模基片集成波导滤波器的结构示意图和S参数仿真曲线图;
[0037] 图5为本实用新型实施例的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器的容性开槽线对滤波器S参数的影响图;
[0038] 图6为本实用新型实施例的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器的缺陷地结构及其谐振频率与尺寸关系图;
[0039] 图7为本实用新型实施例的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器的宽阻带带通滤波器的仿真和测量S参数图;
[0040] 图8为本实用新型实施例的带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器的双频带带通滤波器的仿真和测量S参数图;
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