双极晶体管的制作方法   0    0

一种双极晶体管及的制作方法包括：提供P型衬底，形成N型埋层、N型外延层；在所述N型外延层上形成氧化硅层，形成贯穿所述氧化硅层的开口；在所述开口的侧壁形成氮化硅侧墙，使得所述氮化硅侧墙围成第一刻蚀窗口；利用所述第一刻蚀窗口进行光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；在所述隔离沟槽中形成氧化物；对所述氧化硅层进行光刻及刻蚀，形成由所述氮化硅侧墙与氧化硅层围成的第二刻蚀窗口；利用所述第二刻蚀窗口对所述N型外延层进行光刻及刻蚀，从而形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱沟槽；去除所述氧化硅层及氮化硅侧墙，在所述N阱沟槽中填充多晶硅从而形成N型阱区。

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：
提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层；
在所述N型外延层上形成氧化硅层，并对所述氧化硅层进行光刻与刻蚀，从而形成贯穿所述氧化硅层的开口；
在所述开口的侧壁形成氮化硅侧墙，使得所述氮化硅侧墙围成第一刻蚀窗口；
利用所述第一刻蚀窗口进行光刻及刻蚀从而形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；
在所述隔离沟槽中形成氧化物；
对邻近所述氮化硅侧墙的所述氧化硅层进行光刻及刻蚀，从而形成由所述氮化硅侧墙与所述氧化硅层围成的第二刻蚀窗口；
利用所述第二刻蚀窗口对所述N型外延层进行光刻及刻蚀，从而形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱沟槽；
在所述N阱沟槽中填充多晶硅从而形成N型阱区，去除所述氧化硅层及氮化硅侧墙。

2.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：
在所述N型外延层表面形成基区、连接所述基区的基区P型接触区，在所述基区上形成N型发射极多晶硅，在所述基区P型接触区上形成P型基区接触多晶硅，以及形成连接所述N型发射极多晶硅的发射极金属、连接所述P型基区接触多晶硅的基极金属及连接所述N型阱区的集电极金属。

3.如权利要求2所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述基区P型接触区、所述基极金属、所述隔离沟槽、所述N型阱区、所述集电极金属的数量均为两个，所述两个基区P型接触区分别位于所述基区的两侧，所述两个基极金属分别连接所述基区P型接触区，所述两个隔离沟槽及对应的两个N型阱区分别位于所述基区及两个基区P型接触区的两侧，所述两个集电极金属分别连接所述N型阱区。

4.如权利要求2所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述集电极金属位于所述N型阱区的正上方。

5.如权利要求2所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括形成氧化物隔离层、氧化层及介质隔离层，其中，所述氧化物隔离层设置于所述基区接触多晶硅上，所述氧化层设置于所述N型外延层及所述隔离沟槽与N型阱区上，所述介质隔离层设置于所述氧化层及所述氧化物隔离层上，所述发射极金属通过所述介质隔离层的第一通孔连接所述N型发射极多晶硅，所述基极金属通过贯穿所述介质隔离层及氧化物隔离层的第二通孔连接所述P型基区接触多晶硅，所述集电极金属通过贯穿所述介质隔离层及氧化层的第三通孔连接所述N型阱区。

6.如权利要求5所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述氧化物隔离层还形成于所述P型基区接触多晶硅与所述N型发射极多晶硅之间的基区上，从而将所述P型基区接触多晶硅与所述N型发射极多晶硅间隔。

7.如权利要求5所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述氧化层还设置于部分所述基区P型接触区上方，所述P型基区接触多晶硅及所述氧化物隔离层包括位于所述氧化层上的部分，所述第二通孔对应所述P型基区接触多晶硅位于所述氧化层上的部分，所述基区金属经由所述第二通孔与所述P型基区接触多晶硅连接。

8.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：在所述开口的侧壁形成氮化硅侧墙的步骤包括：在所述开口形成氮化硅层，并对所述氮化硅层进行刻蚀从而形成所述氮化硅侧墙。

9.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：在所述隔离沟槽中形成氧化物的步骤包括：对所述隔离沟槽的侧壁进行氧化，在所述隔离沟槽中填充多晶硅，对所述多晶硅进行回刻从而去除所述隔离沟槽外的多晶硅，对所述隔离沟槽中多晶硅进行氧化从而形成所述氧化物。

10.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述隔离沟槽的宽度在
0.5um-1.5um的范围内。