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寻找关于G21H1/06:辐射运用于不同半导体材料结的电池领域相关可售专利
G21H1/06领域相关在售专利
G21H大组
G21H1/00:从放射源取得电能的装置,例如,从放射性同位素
G21H3/00:由放射源直接将辐射性能转变为除电能外其他形式的能量装置,如光能
G21H5/00:其他类目不包括的放射源辐射的应用或其装置
G21H7/00:宇宙射线效应的利用
G21H1/00小组
G21H1/02:·用β辐射直接充电的电池
G21H1/04:·利用α、β、γ辐射引起的二次发射的电池
G21H1/06:·辐射运用于不同半导体材料结的电池
G21H1/08:·在两种不同金属结存在下,在电池中辐射电离气体的电池,即接触电位差电池
G21H1/10:·辐射加热电结或热离子变换器的电池
G21H1/12:·利用辐射转变为光与随后的光电转换为电能相结合的电池
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2
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一种基于碳化硅材料的微型核电池及其制备方法
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发明专利
有效专利
半导体微器件
申请日:
2018-10-08
当前状态:
授权
国际分类号:
G21H1/06
发明人:
刘红梅,尉国栋
申请人:
山西大同大学
一种基于碳化硅材料的肖特基微型核电池及其制备方法
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