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寻找关于G03F1/22:用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外领域相关可售专利
G03F1/22领域相关在售专利
G03F大组
G03F1/00:用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F3/00:分色；色调值的校正
G03F5/00:网屏印刷法；其所用网屏
G03F7/00:图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F9/00:原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地
G03F1/00小组
G03F1/20:·用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1/22:·用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1/26:·相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1/36:·具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1/38:·具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F1/50:·未包含在G03F 1/20-G03F 1/26组中的空白掩膜；其制备
G03F1/52:·反射镜
G03F1/54:·吸收剂，例如不透明材料
G03F1/60:·基板
G03F1/62:·薄膜或薄膜集合，例如在支持框架上具有薄膜；其制备
G03F1/66:·专门适用于掩膜，空白掩膜或薄膜的容器；其制备
G03F1/68:·未包含在G03F 1/20至G03F 1/50组中的制备工艺
G03F1/88:·通过制备具有模拟浮雕的原版的照相过程的制备
G03F1/90:·采用蒙太奇方法制备
G03F1/92:·从印刷表面制备
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