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寻找关于C30B:单晶生长(用超高压的,例如用于金刚石形成的入B01J 3/06);共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼(金属或合金的区熔精炼入C22B);具有一定结构的均匀多晶材料的制备(金属铸造,按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D;塑料的加工入B29;改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F);单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(用于半导体器件或元件生产的入H01L);其所用的装置领域相关可售专利
C30B领域相关在售专利
C30B大组
C30B1/00:直接自固体的单晶生长
C30B3/00:共析材料的定向分层
C30B5/00:凝胶的单晶生长
C30B7/00:常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长
C30B9/00:使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
C30B11/00:正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B13/00:区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
C30B15/00:熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B17/00:生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长,例如Necken-Kyropoulos法
C30B19/00:液相外延层生长
C30B21/00:共晶材料的定向凝固
C30B23/00:冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B25/00:反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B27/00:保护流体下的单晶生长
C30B28/00:制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/00:以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B30/00:利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B31/00:单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
C30B33/00:单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B35/00:未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置
C30B1/00小组
C30B1/02:·热处理法,例如应变退火
C30B1/10:·固相反应法或多相扩散法
C30B1/12:·生长期间的压力处理法
找到
40
个相关信息
一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统及方法
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发明专利
有效专利
多晶硅制备
申请日:
2014-03-05
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/06
、
C30B28/14
发明人:
何天全,程政
申请人:
重庆海洲化学品有限公司
一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法
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发明专利
有效专利
[0001]本发明属材料制备
申请日:
2020-11-03
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B25/16
、
C30B28/14
、
C30B29/46
、
C30B29/64
、
H01L29/10
发明人:
陈飞,姜夏,苏伟涛
申请人:
杭州电子科技大学
一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法
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发明专利
有效专利
微纳米制造
申请日:
2019-05-17
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B30/00
发明人:
张俐楠,朱伟华,刘红英,陈超,吴立群,王洪成
申请人:
杭州电子科技大学
一种稀土铁硼基磁制冷材料及其制备方法与应用
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发明专利
有效专利
磁学材料
申请日:
2020-12-24
当前状态:
授权
国际分类号:
C22C33/04
、
C22C38/04
、
C22C38/08
、
C22C38/10
、
C22C38/16
、
C21D1/26
、
C21D1/773
、
C21D6/00
、
C30B29/52
、
C09K5/06
、
F25B21/00
发明人:
李领伟,董晓石,马志攀,张振乾
申请人:
杭州电子科技大学
一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法
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发明专利
有效专利
微纳米制造
申请日:
2020-06-15
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/06
、
C30B33/12
、
C30B33/04
、
C30B33/02
发明人:
张俐楠,陈建龙,朱伟华,吴立群,王洪成
申请人:
杭州电子科技大学
一种在室温下快速制备大尺寸高品质单层石墨烯的方法
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发明专利
有效专利
申请日:
2019-06-03
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B23/00
、
C30B29/02
、
C23C14/28
、
C23C14/06
发明人:
卢晨曦,叶高翔,李领伟,余森江,赵晓宇
申请人:
杭州电子科技大学
一种水热辅助液相自组装制备(331)取向生长SmS薄膜的方法
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发明专利
有效专利
申请日:
2011-11-23
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B7/10
、
C30B29/46
、
C30B29/64
发明人:
黄剑锋,侯艳超,张烨,曹丽云,殷立雄
申请人:
陕西科技大学
一种铜酸镧(La2CuO4)薄膜的制备方法
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发明专利
有效专利
申请日:
2011-11-23
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B29/22
、
C30B7/14
、
C23C26/00
、
B05C3/09
发明人:
黄剑锋,李意峰,侯艳超,曹丽云,吴建鹏
申请人:
陕西科技大学
一种LED灯晶片生长用氩气缓冲装置
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发明专利
有效专利
申请日:
2018-10-12
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B27/02
发明人:
方志兰
申请人:
温州崎芳新能源有限公司
一种直拉法制备硅单晶用单晶炉
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发明专利
有效专利
硅片制备
申请日:
2020-06-10
当前状态:
授权
国际分类号:
C30B15/00
、
C30B15/20
、
C30B29/06
发明人:
康林科
申请人:
湖南宇星碳素有限公司
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