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寻找关于C01G:含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物领域相关可售专利
C01G领域相关在售专利
C01G大组
C01G1/00:不包含在C01B、C01C、C01D或C01F小类中之金属化合物的一般制备方法
C01G3/00:铜的化合物
C01G5/00:银的化合物
C01G7/00:金的化合物
C01G9/00:锌的化合物
C01G11/00:镉的化合物
C01G13/00:汞的化合物
C01G15/00:镓、铟或铊的化合物
C01G17/00:锗的化合物
C01G19/00:锡的化合物
C01G21/00:铅的化合物
C01G23/00:钛的化合物
C01G25/00:锆的化合物
C01G27/00:铪的化合物
C01G28/00:砷的化合物
C01G29/00:铋的化合物
C01G30/00:锑的化合物
C01G31/00:钒的化合物
C01G33/00:铌的化合物
C01G35/00:钽的化合物
C01G37/00:铬的化合物
C01G39/00:钼的化合物
C01G41/00:钨的化合物
C01G43/00:铀的化合物
C01G45/00:锰的化合物
C01G47/00:铼的化合物
C01G49/00:铁的化合物
C01G51/00:钴的化合物
C01G53/00:镍的化合物
C01G55/00:钌、铑、钯、锇、铱或铂的化合物
C01G56/00:超铀元素的化合物
C01G57/00:(转入C01G 99/00)
C01G99/00:本小类其他各组中不包括的技术主题
C01G1/00小组
C01G1/02:·氧化物
C01G1/04:·羰基化合物
C01G1/06:·卤化物
C01G1/08:·硝酸盐
C01G1/10:·硫酸盐
C01G1/12:·硫化物
C01G1/14:·亚硫酸盐
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一种高分散球状二硫化钼微纳米分级结构的制备方法
一种高分散球状二硫化钼微纳米分级结构的制备方法
发明专利
有效专利
申请日:
2017-06-21
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G39/06
、
B82Y40/00
、
B82Y30/00
发明人:
张永兴,李汗,赵园园,李佳,李丽,刘强春,朱光平
申请人:
淮北师范大学
单分散均一形貌氧化亚铜纳米球的制备方法
单分散均一形貌氧化亚铜纳米球的制备方法
发明专利
有效专利
申请日:
2018-08-29
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G3/02
、
B82Y30/00
、
B82Y40/00
发明人:
程志鹏,褚效中,周翔,仲慧,殷竟洲,戴本林,赵伟,徐继明,张莉莉
申请人:
淮阴师范学院
多孔四氧化三钴的应用
多孔四氧化三钴的应用
发明专利
有效专利
无机盐多孔材料应用
申请日:
2015-09-08
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G51/04
发明人:
周兴,宋冠宇,沈伟,李珅
申请人:
苏州科技学院
一种银掺杂纳米锐钛矿相TiO2粉体的制备方法
一种银掺杂纳米锐钛矿相TiO2粉体的制备方法
发明专利
有效专利
申请日:
2018-12-04
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G23/07
发明人:
张武,田道来,李思成,王永宁,刘荣荣
申请人:
沈阳理工大学
多孔四氧化三钴及其制备方法
多孔四氧化三钴及其制备方法
发明专利
有效专利
无机盐多孔材料制备
申请日:
2015-09-08
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G51/04
发明人:
周兴,宋冠宇,沈伟,李珅
申请人:
苏州科技学院
一种双模板剂合成Fe3O4@SAPO-35复合材料的方法
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发明专利
有效专利
复合材料合成
申请日:
2019-11-15
当前状态:
授权
国际分类号:
C01B39/54
、
C01G49/08
、
B01J20/02
、
B01J20/18
、
B01J29/85
发明人:
林卿,陈静娴,赵亚洲,刘露,杨虎,苏凯敏,何云
申请人:
海南医学院
一种多孔硫化钴纳米花及其制备方法和应用
一种多孔硫化钴纳米花及其制备方法和应用
发明专利
有效专利
钠电池负极材料
申请日:
2018-12-06
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G51/00
、
H01M4/58
、
H01M10/054
发明人:
张文惠,岳鹿,谢宇,金子纯,甘磊,成鑫丽,关荣锋
申请人:
盐城工学院
一种特定形貌二硫化钨的制备方法
一种特定形貌二硫化钨的制备方法
发明专利
有效专利
材料
申请日:
2019-12-28
当前状态:
授权
国际分类号:
C23C16/30
、
C23C16/455
、
C23C16/02
、
C01G41/00
发明人:
董孟孟,吕燕飞,赵士超
申请人:
杭州电子科技大学
一种BiOBr纳米材料的制备方法
一种BiOBr纳米材料的制备方法
发明专利
有效专利
光电半导体材料
申请日:
2020-01-15
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G29/00
、
B01J27/06
、
B82Y30/00
发明人:
聂秋林
申请人:
杭州电子科技大学
一种中空多孔立方体纳米硫化镍及其制备方法
一种中空多孔立方体纳米硫化镍及其制备方法
发明专利
有效专利
纳米材料制备
申请日:
2018-01-23
当前状态:
授权
国际分类号:
C01G53/11
发明人:
刘红英,徐含笑,戴大响,温佳俊,裘宇斌
申请人:
杭州电子科技大学
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