[0011] 以下实施案例用以说明本发明，但不用于限制本发明。
[0012] 实施例1
[0013] 一种非晶碳薄膜材料低温制备方法，该方法包括以下步骤：
[0014] （1）单晶硅片的清洗，先将单晶硅片基底置于丙酮溶液中超声清洗15 min；再放入乙醇溶液中超声清洗15 min；然后将单晶硅片放入1:3的HF溶液中5 min；最后用去离子水超声清洗15 min；
[0015] （2）以硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅上制备氮化硅薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：125W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：280℃，腔体压强：60Pa，氢气稀释5%～10%体积百分比的SiH4：20 sccm，NH3：10 sccm镀膜时间：10 min；
[0016] （3）以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：175W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：230℃，腔体压强：60Pa，CH4：10 sccm镀膜时间：30 min。
[0017] 通过上述步骤，所制备的非晶碳薄膜均匀性和重复性好，同一基片面积上厚度误差0.3%。同一实验参数制备的薄膜厚度误差1%。
[0018] 实施例2
[0019] 一种非晶碳薄膜材料低温制备方法，该方法包括以下步骤：
[0020] （1）单晶硅片的清洗，先将单晶硅片基底置于丙酮溶液中超声清洗15 min；再放入乙醇溶液中超声清洗15 min；然后将单晶硅片放入1:3的HF溶液中5 min；最后用去离子水超声清洗15 min；
[0021] （2）以硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅上制备氮化硅薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：125W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：280℃，腔体压强：60Pa，氢气稀释5%～10%体积百分比的SiH4：18 sccm，NH3：12 sccm镀膜时间：8 min；
[0022] （3）以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：175W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：230℃，腔体压强：60Pa，CH4：12 sccm镀膜时间：30 min。
[0023] 通过上述步骤，所制备的非晶碳薄膜均匀性和重复性好，同一基片面积上厚度误差0.2%。同一实验参数制备的薄膜厚度误差0.9%。
[0024] 实施例3
[0025] 一种非晶碳薄膜材料低温制备方法，该方法包括以下步骤：
[0026] （1）单晶硅片的清洗，先将单晶硅片基底置于丙酮溶液中超声清洗15 min；再放入乙醇溶液中超声清洗15 min；然后将单晶硅片放入1:3的HF溶液中5 min；最后用去离子水超声清洗15 min；
[0027] （2）以硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅上制备氮化硅薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：150W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：250℃，腔体压强：60Pa，氢气稀释5%～10%体积百分比的SiH4：16 sccm，NH3：14 sccm镀膜时间：6 min；
[0028] （3）以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：150W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：250℃，腔体压强：60Pa，CH4：14 sccm镀膜时间：45 min。
[0029] 通过上述步骤，所制备的非晶碳薄膜均匀性和重复性好，同一基片面积上厚度误差0.2%。同一实验参数制备的薄膜厚度误差1.2%。
[0030] 实施例4
[0031] 一种非晶碳薄膜材料低温制备方法，该方法包括以下步骤：
[0032] （1）单晶硅片的清洗，先将单晶硅片基底置于丙酮溶液中超声清洗15 min；再放入乙醇溶液中超声清洗15 min；然后将单晶硅片放入1:3的HF溶液中5 min；最后用去离子水超声清洗15 min；
[0033] （2）以硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅上制备氮化硅薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：150W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：250℃，腔体压强：60Pa，氢气稀释5%～10%体积百分比的SiH4：15 sccm，NH3：15 sccm镀膜时间：5 min；
[0034] （3）以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：150W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：250℃，腔体压强：60Pa，CH4：16 sccm镀膜时间：45 min。
[0035] 通过上述步骤，所制备的非晶碳薄膜均匀性和重复性好，同一基片面积上厚度误差0.1%。同一实验参数制备的薄膜厚度误差0.8%。
[0036] 实施例5
[0037] 一种非晶碳薄膜材料低温制备方法，该方法包括以下步骤：
[0038] （1）单晶硅片的清洗，先将单晶硅片基底置于丙酮溶液中超声清洗15 min；再放入乙醇溶液中超声清洗15 min；然后将单晶硅片放入1:3的HF溶液中5 min；最后用去离子水超声清洗15 min；
[0039] （2）以硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅上制备氮化硅薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：150W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：250℃，腔体压强：60Pa，氢气稀释8%体积百分比的SiH4：15 sccm，NH3：15 sccm，镀膜时间：5 min；
[0040] （3）以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：150W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：250℃，腔体压强：60Pa，CH4：16 sccm镀膜时间：45 min。
[0041] 通过上述步骤，所制备的非晶碳薄膜均匀性和重复性好，同一基片面积上厚度误差0.4%。同一实验参数制备的薄膜厚度误差1%。
[0042] 实施例6
[0043] 一种非晶碳薄膜材料低温制备方法，该方法包括以下步骤：
[0044] （1）单晶硅片的清洗，先将单晶硅片基底置于丙酮溶液中超声清洗15 min；再放入乙醇溶液中超声清洗15 min；然后将单晶硅片放入1:3的HF溶液中5 min；最后用去离子水超声清洗15 min；
[0045] （2）以硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅上制备氮化硅薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：175W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：230℃，腔体压强：60Pa，氢气稀释5%～10%体积百分比的SiH4：12 sccm，NH3：18 sccm镀膜时间：2 min；
[0046] （3）以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：125W，射频频率：13.56MHz，沉积温度：280℃，腔体压强：60Pa，CH4：20 sccm镀膜时间：60 min。
[0047] 通过上述步骤，所制备的非晶碳薄膜均匀性和重复性好，同一基片面积上厚度误差0.2%。同一实验参数制备的薄膜厚度误差0.8%。
[0048] 以上所述为本发明较佳实施例而已，但本发明不应该局限于该实施实例所公开的内容。所以凡是不脱离本发明所公开的精神下完成的等效或修改，都落入本发明保护的范围。
