背景技术
[0002] 半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。完成半导体加工硅晶片的工序后，就需要消除静电吸附作用，以便方便地取出硅晶片，因为当硅晶片移开陶瓷圆片正上面之前一步，必须将硅晶片由辅助机构顶离陶瓷圆片，这样工作人员才能插入硅晶片的底部而将硅晶片移至下一个工序，那就需要消除硅晶片与陶瓷圆片之间的静电吸附作用，不然硅晶片将被顶破。
[0003] 现有的装置在进行静电消除时，无法与硅晶片充分接触，静电消除效果差，而且现有的装置是通过人工进行上料操作，工作效率较低。实用新型内容
[0004] 为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的之一在于提供一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备。
[0005] 本实用新型的目的之一采用如下技术方案实现：
[0006] 一种半导体加工硅晶片消除静电吸附设备，包括壳体，所述壳体的顶部靠近左侧处设有螺纹杆，所述壳体的顶部设有顶板，所述壳体的顶部靠近左侧处与顶板的底部靠近左侧处均固定连接有第一轴承，所述螺纹杆的底端插接在相邻第一轴承的内腔，所述螺纹杆的顶端贯穿相邻第一轴承的内腔，且延伸至顶部，所述顶板的底部靠近右侧处设有限位机构，所述顶板的底部设有静电消除器，所述静电消除器的左右两侧均固定连接有连接杆，位于左侧的所述连接杆的左端与螺纹套的右侧固定连接，所述壳体的内腔靠近中间处固定连接有固定板，所述固定板的后侧设有往复凸轮，所述往复凸轮的前后两端均固定连接有转轴，所述壳体的内腔后侧与固定板上均固定连接有第二轴承，位于后侧的所述转轴的后端插接在相邻第二轴承的内腔，位于前侧的所述转轴的前端贯穿相邻第二轴承的内腔，且延伸至其前侧，所述往复凸轮上开设有滑槽，所述滑槽的内腔设有滑块，所述滑块的顶部贯穿滑槽的内腔，且延伸至其顶部，并固定连接有限位套，所述所述限位套的顶部固定连接有连接块，所述壳体的顶部靠近右侧处开设有开槽，所述连接块的顶部贯穿相邻开槽的内腔，且延伸至其顶部，并固定连接有推板，所述推板的左侧固定连接有定位板。
[0007] 进一步的，所述限位机构包括限位杆，所述限位杆的顶端与顶板的底部固定连接，所述限位杆的底端与壳体的顶部固定连接，所述限位杆的外壁套设有限位管，所述限位管的左侧与相邻的连接杆的右端固定连接。
[0008] 进一步的，所述顶板的顶部靠近左侧处固定连接有电机外壳，所述电机外壳的内腔顶部固定连接有伺服电机，所述伺服电机的电机轴与螺纹杆的顶端固定连接。
[0009] 进一步的，所述静电消除器的右侧固定连接有导线，所述导线的右端固定连接有接地线。
[0010] 进一步的，所述固定板的前侧设有驱动电机，所述驱动电机的底部与壳体的内腔底部固定连接，所述驱动电机的电机轴与相邻转轴的前端固定连接。
[0011] 进一步的，所述限位套的内腔设有固定杆，所述固定杆的前后两端均贯穿限位套的内腔，并分别与壳体的内腔侧壁和固定板固定连接。
[0012] 进一步的，所述壳体的顶部靠近前侧处设有基座，所述基座的顶部固定连接陶瓷片，所述陶瓷片的顶部设有硅晶片。
[0013] 相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：
[0014] 1、本实用新型通过螺纹杆、螺纹套、顶板、电机外壳、连接杆、限位管、限位杆、静电消除器、导线、接地线等部件之间的相互配合，使装置可以与硅晶片充分接触，具有静电消除效果好等特点；
[0015] 2、本实用新型通过推板、定位板、往复凸轮、转轴、驱动电机、滑块、限位套、固定杆、连接块、伺服电机、固定板等部件之间的相互配合，使装置自动进行上料操作，具有提高工作效率等特点。
[0016] 上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
