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一种检测氨气的气敏材料的制备方法及应用   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2019-07-11
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2019-10-15
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2021-10-12
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2039-07-11
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 发明专利
申请号 CN201910622250.1 申请日 2019-07-11
公开/公告号 CN110243880B 公开/公告日 2021-10-12
授权日 2021-10-12 预估到期日 2039-07-11
申请年 2019年 公开/公告年 2021年
缴费截止日
分类号 G01N27/12 主分类号 G01N27/12
是否联合申请 独立申请 文献类型号 B
独权数量 1 从权数量 1
权利要求数量 2 非专利引证数量 1
引用专利数量 0 被引证专利数量 0
非专利引证 1、CN 104965008 A,2015.10.07CN 103818887 A,2014.05.28CN 104891997 A,2015.09.09CN 104646044 A,2015.05.27CN 106381190 A,2017.02.08CN 106587156 A,2017.04.26CN 106241877 A,2016.12.21刘阳等.多孔MoS2/g-C3N4材料对水环境中四环素的降解《.环境工程学报》.2019,Shubham Sharma等.Room temperatureammonia gas sensing properties of MoS2nanostructured thin film《.AIP ConferenceProceedings》.1958,;
引用专利 被引证专利
专利权维持 3 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查、授权
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 蚌埠学院 当前专利权人 蚌埠学院
发明人 张现峰、芦静波、王旭艳 第一发明人 张现峰
地址 安徽省蚌埠市龙子湖区曹山路1866号 邮编 233030
申请人数量 1 发明人数量 3
申请人所在省 安徽省 申请人所在市 安徽省蚌埠市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
青岛科通知桥知识产权代理事务所 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
张晓
摘要
本发明涉及一种检测氨气的气敏材料的制备方法及应用,属功能材料、传感技术与环境监测技术领域。本发明分别制备MoS2和g‑C3N4材料,以溶胶法制备g‑C3N4/MoS2纳米复合材料作为气敏材料来检测氨气;将涂覆g‑C3N4/MoS2纳米复合材料的气敏元件老化后将电阻丝穿过其内部,之后用锡将陶瓷管上的6根细丝与气体传感器底座的6根柱子焊接,即得到所需的检测氨气的传感器气敏元件。制得的气敏元件对氨气的检测具有高灵敏度、高选择性等优点,可用于检测工业环境中的氨气。
  • 摘要附图
    一种检测氨气的气敏材料的制备方法及应用
  • 说明书附图:图1
    一种检测氨气的气敏材料的制备方法及应用
  • 说明书附图:图2
    一种检测氨气的气敏材料的制备方法及应用
  • 说明书附图:图3
    一种检测氨气的气敏材料的制备方法及应用
  • 说明书附图:图4
    一种检测氨气的气敏材料的制备方法及应用
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2021-10-12 授权
2 2019-10-15 实质审查的生效 IPC(主分类): G01N 27/12 专利申请号: 201910622250.1 申请日: 2019.07.11
3 2019-09-17 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.一种检测氨气的气敏材料制得的气敏元件,其特征在于,包括以下步骤:
(1)用去离子水将制备得到的g‑C3N4/MoS2调成糊状,g‑C3N4/MoS2与去离子水的质量比为1:(0.5‑1.5),再用细毛刷将其涂在装有铂丝和两个金电极的陶瓷管外部,之后将涂好的陶瓷管置于干燥箱内在100 ℃下老化24 h;
(2)取出老化的陶瓷管,将电阻丝穿过其内部,之后用锡将陶瓷管上的6根细丝与气体传感器底座的6根柱子一一对应焊接起来,即得到所需的气敏元件;
所述g‑C3N4/MoS2的制备方法,包括以下步骤:
1)取1.30g钼酸铵和2.30 g硫脲并加入35 mL去离子水,放在磁力搅拌器上搅拌30 min,形成均匀溶液;
2)将步骤1)中溶液转移至50 mL反应釜中,在180 ℃恒温干燥箱内保持24 h,之后使反应体系自然冷却至室温,得到反应产物A;
3)离心收集步骤2)中的反应产物A,用水和无水乙醇反复洗涤至中性,得到产物B;
4)将步骤3)中的产物B放入坩埚中,置于干燥箱内在60 ℃下干燥24小时,得到黑色粉体材料,保存备用;
5)取5 g三聚氰胺置于加盖的坩埚中,在马弗炉里以2 ℃/min升温速率至500 ℃煅烧2 h后,继续升温至520 ℃煅烧2 h,自然冷却至室温后,将产物C3N4研磨成粉末;
6)取1 g C3N4置于不加盖的坩埚中,在马弗炉内以2 ℃/min升温速率在520 ℃下热处理4 h,得到g‑C3N4材料,将所得样品研磨成粉末;
7)分别配置浓度为0.92 mg/mL的g‑C3N4和10 mg/mL的MoS2乙醇溶液,超声处理30 min,形成胶体溶液;
8)取1~5 mL的g‑C3N4的乙醇溶液滴加到10mL的MoS2的乙醇溶液中,将得到的混合溶液在60 ℃下加热磁力搅拌24 h,离心收集产物,在300 ℃下煅烧3 h,制备成g‑C3N4与MoS2质量比为0.92~4.60%的g‑C3N4/MoS2复合材料。

2.根据权利要求1所述的气敏元件在氨气检测上的应用。
说明书

技术领域

[0001] 本发明涉及一种检测氨气的气敏材料及制备方法及应用,属功能纳米材料制备技术和气体传感检测技术领域。

背景技术

[0002] 上个世纪三十年代,国外开始研究并陆续开发出气敏传感器,至上个世纪中期,传感领域迅速发展,其中半导体传感器、固态电解质传感器以及湿度传感器在某些国家已经实现了商品化。现如今,已陆续开发出上百种气体传感器。近些年来,通过把气敏材料制成薄膜或纳米结构来提高其气敏性能,因为气敏材料的吸附能力、比表面积及活性位点等是影响其选择性和灵敏度的主要原因。所以,如何提高气体传感器的响应速度、灵敏度以及选择性成为现今研究的主要方向。
[0003] 由于金属氧化物半导体有其独特的性能优点,如响应时间短、灵敏度高等,很多气敏材料研究人员将金属氧化物作为主要研究对象,但金属氧化物气敏材料要求的工作温度较高,一般会高于200℃,并且还会需要辅助的加热条件,这使得金属氧化物气敏材料功耗大、稳定性不好。而且待测物还可能会因为较高的工作温度而发生热降解,这样就会使检测结果受到很大影响。金属硫化物半导体材料对表面电性能的变动非常敏感,因为其表面态密度比较低,因此具有作为高灵敏电阻型气敏元件的巨大潜力。而且金属硫化物半导体纳米材料具有比表面积大、表面态可调控等优点,制备工艺也比较成熟,近些年在气体传感方面的应用开始受到广泛关注。
[0004] 半导体气体传感器包括电阻值、工作温度、灵敏度、选择性和稳定性以及响应速度、响应/恢复时间等多个性能参数。其中气体传感器的灵敏度(S)为气敏元件在干净的空气环境中的电阻值(Ra)与充满被测气体的环境中的电阻值(Rg)的比值,公式为:S=Ra/Rg。灵敏度反映了气敏元件对被测气体的敏感程度的大小,是检测气体传感器性能的重要参数和测试指标。通常灵敏度越高的气敏材料其在生产和生活中的应用价值越高。
[0005] 响应时间为气敏元件与被测气体从开始相遇到阻值达到稳定的这段时间的90%。它体现了气敏元件对环境中的待测气体的响应快慢,通常气敏元件的响应时间越短就证明其响应性能越好。同理,恢复时间为气敏元件从被测气体中离开到阻值达到与干净空气中的电阻值相同的这段时间的90%。它体现了气敏元件脱离被测气体的快慢,通常气敏元件的恢复时间越短就证明其恢复性能越好。
[0006] 二维(2D)纳米结构材料由于其具有的特性,如纳米尺度的厚度和大的比表面积,使二维纳米材料对各种化学气体分子具有出色的吸附能力,表明它们具有良好的气体传感性能。二硫化钼(MoS2)具有独特的二维层状结构、高比表面积、可调节带隙(1.2~1.8eV)、无毒性、高迁移率、高通断电流比和优良的机械强度等优点,是低温下高性能传感材料的有前途的候选材料。
[0007] 石墨相氮化碳(g‑C3N4)的禁带宽度适中,能够与多种半导体耦合,提高电子与空穴的分离效率,有利于电子的转移。将g‑C3N4与MoS2复合,制备出g‑C3N4/MoS2气体传感器,实现材料与功能的一体化,发挥出两种材料的优势,对于提高材料的传感性能具有重要意义。
[0008] 氨广泛应用于各种行业生产中,但它是一种容易爆炸和易燃的有害气体。长期接触氨会对人体造成很大伤害,因此,制备一种快速、可靠、高灵敏度和选择性的氨气气体传感器是当前迫切需要的。

发明内容

[0009] 本发明所要解决的技术问题是针对上述现有问题如何快速、可靠、高灵敏度的检测行业生产中危险的氨气而提供一种检测氨气的气敏材料的制备方法,包括以下步骤:
[0010] (1)取1.30g钼酸铵和2.30g硫脲并加入35mL去离子水,放在磁力搅拌器上搅拌30min,形成均匀溶液;
[0011] (2)将步骤(1)中溶液转移至50mL反应釜中,在180℃恒温干燥箱内保持24h,之后使反应体系自然冷却至室温,得到反应产物A;
[0012] (3)离心收集步骤(2)中的反应产物A,用水和无水乙醇反复洗涤至中性,得到产物B;
[0013] (4)将步骤(3)中的产物B放入坩埚中,置于干燥箱内在60℃下干燥24小时,得到黑色粉体材料,保存备用;
[0014] (5)取5g三聚氰胺置于加盖的坩埚中,在马弗炉里以2℃/min升温速率至500℃煅烧2h后,继续升温至520℃煅烧2h,自然冷却至室温后,将产物C3N4研磨成粉末;
[0015] (6)取1g C3N4置于不加盖的坩埚中,在马弗炉内以2℃/min升温速率在520℃下热处理4h,得到g‑C3N4材料,将所得样品研磨成粉末;
[0016] (7)分别配置浓度为0.92mg/mL的g‑C3N4乙醇溶液和10mg/mL的MoS2乙醇溶液,超声处理30min,形成胶体溶液;
[0017] (8)取1~5mL的g‑C3N4的乙醇溶液滴加到10mL的MoS2的乙醇溶液中,将混合溶液在60℃下加热磁力搅拌24h,离心收集产物,在300℃下煅烧3h,制备成g‑C3N4与MoS2质量比为
0.92~4.60%的g‑C3N4/MoS2复合材料。
[0018] 本发明还提供一种基于上述材料制备气敏元件并用于氨气检测方法,包括以下步骤:
[0019] (1)用去离子水将g‑C3N4/MoS2调成糊状,g‑C3N4/MoS2与去离子水的质量比为1:(0.5‑1.5),再用细毛刷将其涂在装有铂丝和两个金电极的陶瓷管外部,之后将涂好的陶瓷管置于干燥箱内在100℃下老化24h;
[0020] (2)取出老化的陶瓷管,将电阻丝穿过其内部,之后用锡将陶瓷管上的6根细丝与气体传感器底座的6根柱子一一对应焊接起来,即得到所需的气敏元件。
[0021] 本发明还提供了上述气敏元件在氨气检测上的应用。
[0022] 本发明的积极有益效果体现在:
[0023] (1)制备工艺简单,环境友好,无有机溶剂,成本低,易于实现批量化生产。
[0024] (2)传感器气敏元件采用一定量的C3N4与MoS2纳米材料复合的方法来提高气敏材料对氨气的灵敏度和选择性。1.84%的g‑C3N4/MoS2在最佳工作温度120℃时,对50ppm的氨气灵敏度达到21.2。
[0025] (3)传感器实现快速、可靠、高灵敏度的检测危险气体氨气,实现了便携化和低功耗。

实施方案

[0030] 下面结合具体实施例对本发明作进一步说明,但本发明并不局限于此。
[0031] 下述实施例中所述实验方法,如无特殊说明,均为常规方法;所述材料、试剂等,如无特殊说明,均可从商业途径获得。
[0032] 实施例1
[0033] (1)取1.30g钼酸铵和2.30g硫脲并加入35mL去离子水,放在磁力搅拌器上搅拌30min,形成均匀溶液;
[0034] (2)将步骤(1)中溶液转移至50mL反应釜中,在180℃恒温干燥箱内保持24h,之后使反应体系自然冷却至室温;
[0035] (3)离心收集步骤(2)中产物,用水和无水乙醇反复洗涤至中性;
[0036] (4)将步骤(3)中产物放入坩埚中,置于干燥箱内在60℃下干燥24小时,得到黑色粉体材料,保存备用;
[0037] (5)取5g三聚氰胺置于加盖的坩埚中,在马弗炉里以2℃/min升温速率至500℃煅烧2h后,继续升温至520℃煅烧2h,自然冷却至室温后,将产物C3N4研磨成粉末;
[0038] (6)取1g C3N4置于不加盖的坩埚中,在马弗炉内以2℃/min升温速率在520℃下热处理4h,得到g‑C3N4材料,将所得样品研磨成粉末;
[0039] (7)分别配置浓度为0.92mg/mL的g‑C3N4乙醇溶液和10mg/mL的MoS2乙醇溶液,超声处理30min,形成胶体溶液;
[0040] (8)取2mL的g‑C3N4超声溶液滴加到10mL的MoS2溶液中,将混合溶液在60℃下加热磁力搅拌24h,离心收集产物,在300℃下煅烧3h,制备成g‑C3N4与MoS2质量比为1.84%的g‑C3N4/MoS2材料。
[0041] 实施例2
[0042] 制备方法基本同实施例1,与实施例1的不同之处是:
[0043] 步骤(8)中取1mL的g‑C3N4超声溶液滴加到10mL的MoS2溶液中,制备成g‑C3N4与MoS2质量比为0.92%的g‑C3N4/MoS2材料。
[0044] 实施例3
[0045] 制备方法基本同实施例1,与实施例1的不同之处是:
[0046] 步骤(8)中取3mL的g‑C3N4超声溶液滴加到10mL的MoS2溶液中,制备成g‑C3N4与MoS2质量比为2.76%的g‑C3N4/MoS2材料。
[0047] 实施例4
[0048] 制备方法基本同实施例1,与实施例1的不同之处是:
[0049] 步骤(8)中取5mL的g‑C3N4超声溶液滴加到10mL的MoS2溶液中,制备成g‑C3N4与MoS2质量比为4.60%的g‑C3N4/MoS2材料。
[0050] 对比例1
[0051] 制备方法基本同实施例1,与实施例1的不同之处是:
[0052] 步骤(8)中不取g‑C3N4超声溶液滴加到10mL的MoS2溶液中,制备成不添加g‑C3N4的MoS2材料。
[0053] 本发明还提供一种基于上述材料制备气敏元件并用于检测不同的气体[0054] (1)用去离子水将g‑C3N4/MoS2调成糊状,g‑C3N4/MoS2与去离子水的质量比为1:(0.5‑1.5),再用细毛刷将其涂在装有铂丝和两个金电极的陶瓷管外部,之后将涂好的陶瓷管置于干燥箱内在100℃下老化24h。
[0055] (2)取出老化的陶瓷管,将电阻丝穿过其内部,之后用锡将陶瓷管上的6根细丝与气体传感器底座的6根柱子一一对应焊接起来,即得到所需的气敏元件。
[0056] (3)将气敏元件放入配气箱,然后在配气箱中加入不同量的气体,待检测的气敏元件阻值稳定后,用S=Ra/Rg公式计算灵敏度,得到不同气体的检测灵敏度。
[0057] 图1是1.84%g‑C3N4/MoS2样品的透射电子显微镜照片,通过观察g‑C3N4/MoS2的TEM图片证实样品为片层结构。
[0058] 图2是不同质量比的g‑C3N4/MoS2传感器对50ppm氨气的灵敏度,在120℃条件下,测试采用静态配气法,用不同质量比的g‑C3N4/MoS2气体传感器测量了对50ppm氨气灵敏度。其中质量比1.84%的g‑C3N4/MoS2(实施例1)灵敏度达到22.1,是单独的MoS2传感器(对比例1)灵敏度的6.94倍。
[0059] 图3为1.84%的g‑C3N4/MoS2传感器对50ppm氨气的响应恢复曲线,可以得知其响应/恢复时间为19.4s和28.5s,表明所制备的气敏元件对氨气的响应速度较好。
[0060] 图4是1.84%的g‑C3N4/MoS2传感器在120℃条件下对不同浓度的多种气体的灵敏度,图中显示了所得1.84%g‑C3N4/MoS2气体传感器在120℃下对甲醇(50ppm)、无水乙醇(50ppm、100ppm)、乙酸(50ppm)、丙酮(50ppm)的灵敏度,相应的灵敏度分别为0.88、0.90、4.02、4.56和3.25,而对氨气20ppm、50ppm的灵敏度已达到5.02和22.10。显然,1.84%的g‑C3N4/MoS2对氨气的反应比较显著,比其他被测气体的反应灵敏度高5~25倍左右。

附图说明

[0026] 图1、实施例1制备的C3N4/MoS2纳米复合材料的透射电子显微镜图。
[0027] 图2、实施例1~5制备的传感器对50ppm氨气的检测灵敏度。
[0028] 图3、实施例1制备的传感器在120℃条件下对50ppm氨气的响应恢复曲线。
[0029] 图4、实施例1制备的传感器在120℃条件下对不同浓度的多种气体的灵敏度。
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