[0019] 下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步的分析。
[0020] 以下实施例硅片采用(100)面单晶硅片，在表层有大约295～305nm厚的SiO2薄膜, 硅片大约宽2～2.5cm,长大约4～5cm。
[0021] 如图1所示，基于超长氧化钼纳米带生长设备，包括管式炉设备本体，以及设置在管 内的杠铃形内管，硫化钼放置舟A设置在杠铃形内管的中间杠杆位置且靠近于出气口，硅 放置舟B设置在杠铃形内管的哑铃位置且靠近于出气口。硫化钼放置舟与硅放置舟的高度 差为2.75cm，水平距离为7～10cm，中间杠杆高度为2cm，且硫化钼放置舟位于较高处， 能有效提高沉积的效率。
[0022] 实施例1.
[0023] 步骤(1).用脱脂棉蘸取无水乙醇，对硅片进行擦拭；
[0024] 步骤(2).将擦拭后的硅片放入去离子水，用超声波清洗15min；
[0025] 步骤(3).将去离子水清洗后的硅片，放入中性水基硅片清洗剂中，超声波洗15min；
[0026] 步骤(4).将硅片清洗剂清洗过的硅片，放入去离子水中，超声波清洗15min；
[0027] 步骤(5).将上述方法清洗过的硅片，用氮气吹走表面上的水滴，吹干；
[0028] 步骤(6)、将上述清洗步骤清洗完的硅片放入管式炉中，如图1中的B点，将硫化钼粉 末作为源放入图1中A点，然后打开真空泵抽气，使管中气压至40Pa；
[0029] 步骤(7)、打开氮气罐。通氮气进入管式炉，使气体流速维持在50sccm，气压维持在 430Pa；
[0030] 步骤(8)、打开炉子，升温至750°，保温40min；
[0031] 步骤(9)、关闭氮气和真空泵，让管式炉自然降温至室温。
[0032] 图1所示为管式炉基本构造，图2所示样品1即为该条件下样品的X射线衍射图谱。 所得纳米带长度最大可达0.5～1.2cm，并在炉壁边缘发现大量较小纳米带。图3是实例1 中管壁上生长的纳米带拉曼光谱图；图中可以确定为MoO3(主要拉曼谱峰在285，667，821， 996cm-1)。图4是实例1中产物长度示意图，上边附着大量肉眼可见的纳米带，长度可达 0.5～1.2cm。
[0033] 实施例2.
[0034] 步骤(1).用脱脂棉蘸取无水乙醇，对硅片进行擦拭；
[0035] 步骤(2).将擦拭后的硅片放入去离子水，用超声波清洗15min；
[0036] 步骤(3).将去离子水清洗后的硅片，放入中性水基硅片清洗剂中，超声波洗15min；
[0037] 步骤(4).将硅片清洗剂清洗过的硅片，放入去离子水中，超声波清洗15min；
[0038] 步骤(5).将上述方法清洗过的硅片，用氮气吹走表面上的水滴，吹干；
[0039] 步骤(6)、将上述清洗步骤清洗完的硅片放入管式炉中，如图1中的B点，将硫化钼粉 末作为源放入图1中A点，然后打开真空泵抽气，使管中气压至50Pa；
[0040] 步骤(7)、打开氮气罐。通氮气进入管式炉，使气体流速维持在50sccm，气压维持在 430Pa；
[0041] 步骤(8)、打开炉子，升温至800°，保温40min；
[0042] 步骤(9)、关闭氮气和真空泵，让管式炉自然降温至室温。
[0043] 图1所示为管式炉基本构造，图2所示样品2即为该条件下样品的X射线衍射图谱。 所得纳米带长度最大可达0.5～0.8cm。
[0044] 实施例3.
[0045] 步骤(1).用脱脂棉蘸取无水乙醇，对硅片进行擦拭；
[0046] 步骤(2).将擦拭后的硅片放入去离子水，用超声波清洗15min；
[0047] 步骤(3).将去离子水清洗后的硅片，放入中性水基硅片清洗剂中，超声波洗15min；
[0048] 步骤(4).将硅片清洗剂清洗过的硅片，放入去离子水中，超声波清洗15min；
[0049] 步骤(5).将上述方法清洗过的硅片，用氮气吹走表面上的水滴，吹干；
[0050] 步骤(6)、将上述清洗步骤清洗完的硅片放入管式炉中，如图1中的B点，将硫化钼粉 末作为源放入图1中A点，然后打开真空泵抽气，使管中气压至50Pa；
[0051] 步骤(7)、打开氮气罐。通氮气进入管式炉，使气体流速维持在50sccm，气压维持在 440Pa；
[0052] 步骤(8)、打开炉子，升温至750°，保温40min；
[0053] 步骤(9)、关闭氮气和真空泵，让管式炉自然降温至室温。
[0054] 所得纳米带长度约为0.3～0.5cm。
[0055] 实施例4.
[0056] 步骤(1).用脱脂棉蘸取无水乙醇，对硅片进行擦拭；
[0057] 步骤(2).将擦拭后的硅片放入去离子水，用超声波清洗15min；
[0058] 步骤(3).将去离子水清洗后的硅片，放入中性水基硅片清洗剂中，超声波洗15min；
[0059] 步骤(4).将硅片清洗剂清洗过的硅片，放入去离子水中，超声波清洗15min；
[0060] 步骤(5).将上述方法清洗过的硅片，用氮气吹走表面上的水滴，吹干；
[0061] 步骤(6)、将上述清洗步骤清洗完的硅片放入管式炉中，如图1中的B点，将硫化钼粉 末作为源放入图1中A点，然后打开真空泵抽气，使管中气压至50Pa；
[0062] 步骤(7)、打开氮气罐。通氮气进入管式炉，使气体流速维持在55sccm，气压维持在 430Pa；
[0063] 步骤(8)、打开炉子，升温至750°，保温40min；
[0064] 步骤(9)、关闭氮气和真空泵，让管式炉自然降温至室温。
[0065] 所得纳米带长度最大可达0.3～0.5cm。
[0066] 上述实施例并非是对于本发明的限制，本发明并非仅限于上述实施例，只要符合本发 明要求，均属于本发明的保护范围。
