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一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2019-05-15
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2019-09-27
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2021-07-23
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2039-05-15
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 发明专利
申请号 CN201910408225.3 申请日 2019-05-15
公开/公告号 CN110194664B 公开/公告日 2021-07-23
授权日 2021-07-23 预估到期日 2039-05-15
申请年 2019年 公开/公告年 2021年
缴费截止日
分类号 C04B35/505C04B35/622 主分类号 C04B35/505
是否联合申请 独立申请 文献类型号 B
独权数量 1 从权数量 1
权利要求数量 2 非专利引证数量 1
引用专利数量 0 被引证专利数量 0
非专利引证 1、CN 107586122 A,2018.01.16CN 108249917 A,2018.07.06CN 1457081 A,2003.11.19CN 101293770 A,2008.10.29CN 107010956 A,2017.08.04CN 106032318 A,2016.10.19CN 103819187 A,2014.05.28CN 1810713 A,2006.08.02JP 平3-8766 A,1991.01.16KR 20180056529 A,2018.05.29CN 101429009 A,2009.05.13CN 103467098 A,2013.12.25王闳毅等“.低介电常数(Mg1–xYx)2Al4Si5O18陶瓷的制备与微波介电性能”《.硅酸盐学报》.2015,P.Grosseaua等.“Preparation ofpolycrystalline yttrium iron garnetceramics”《.Powder Technology》.1997,Jianbing Song等“.Ionic occupation,structures, and microwave dielectricproperties of Y3MgAl3SiO12 garnet-typeceramics”《.J Am Ceram Soc.》.2018,童二宝等“.Y3MgAl3SiO12:Dy3+,Eu3+荧光粉的能量传递与暖白光实现”《.电子科技》.2020,;
引用专利 被引证专利
专利权维持 3 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查、授权
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 杭州电子科技大学 当前专利权人 杭州电子科技大学
发明人 宋正军、宋开新、林乾毕、刘兵 第一发明人 宋正军
地址 浙江省杭州市下沙高教园区 邮编 310018
申请人数量 1 发明人数量 4
申请人所在省 浙江省 申请人所在市 浙江省杭州市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
浙江永鼎律师事务所 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
陆永强
摘要
本声明公开一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法,原料的成分为Y2O3、Dy2O3、Al2O3、MgO、SiO2,所述原料成分以Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化学计量比进行配比。制备过程主要包括:配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒压片、高温烧结。采用高温固相反应法,通过不同的烧结温度,制备一种微波性能良好可用于微波和毫米波通讯器件的微波介质陶瓷材料。
  • 摘要附图
    一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法
  • 说明书附图:图1
    一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法
  • 说明书附图:图2
    一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法
  • 说明书附图:图3
    一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法
  • 说明书附图:图4
    一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2021-07-23 授权
2 2019-09-27 实质审查的生效 IPC(主分类): C04B 35/505 专利申请号: 201910408225.3 申请日: 2019.05.15
3 2019-09-03 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料,其特征在于,其原料成分Y2O3、Dy2O3、Al2O3、MgO、SiO2以Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化学计量比进行配比;该微波介质陶瓷体系的介电常数εr范围为7~8.5,品质因数Q×f的范围为46823GHz~63796GHz,谐振频率温度系数τf范围为‑34.7ppm/℃~‑37.5ppm/℃。

2.制备如权利要求1所述的微波介质陶瓷材料的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)原料处理:将本次实验所用到的原料除MgO外取适量放入90℃的烘箱中进行干燥,由于MgO的特殊性,要将MgO原料放进坩埚中在高温炉900℃下保温6小时,除去水分和MgCO3等杂质,保证实验的科学准确性;
(2)配料:纯度为99.99%的Y2O3、纯度为99.9%的Dy2O3、纯度为99.99%的Al2O3、纯度为
99.99%的MgO、纯度为99.99%的SiO2,按照Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12的化学计量比进行配比;
(3)一次球磨:将称取好的原材料与无水乙醇依次倒入装有配置好锆球比例的球磨罐,水、锆球、无水乙醇的比例为1:4.5:1.2,球磨机设置为240r/min的固定转速,定时12小时,并及时取出倒入裹有锡箔纸的托盘,放置到烘干箱中烘干;
(4)预烧:将烘干的原料过60目标准筛,放入氧化铝坩埚中,将高温炉设置成4℃/min升温到1300℃并保温4h,之后以4℃/min降温到800℃后自然降温,初步合成
Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
(5)二次球磨:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料;
(6)烘干:将Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料取出,置于烘箱中90℃干燥至恒重,得到初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物粉体;
(7)造粒成型:称取烘干后的粉体,先过60目的筛子,然后用电子天平进行称量,按重量加入1.5ml~3ml的8wt%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂,将混合好的粉体过100目和140目的筛子,取中间的粉体备用,最下面一层的粉体作为烧结时的垫料;加PVA时要使其分布均匀,避免PVA集聚在小范围内,造成造粒不均匀;
(8)干压制样:选用造粒后中间部分的粉体,称取一定的质量,根据粉体和干压后的厚度不同,用直径为12mm的模具加3MPa的压力,称取大约1.8g左右的粉体,压制成7mm厚的片子测试介电性能,称取大约1.5g的粉体,采用15mm直径的模具加2Mpa的压力,压制成2mm厚的片子测试XRD;
(9)烧结:首先垫板的第一层是ZrO2垫料,第二层是样品的垫料,然后将样品平整的放到上面,并在上方盖上盖子,防止烧结过程中二次污染,比如高温炉材质的脱落,其他样品烧结过程中的材料的挥发;将高温炉设置成5℃/min升温,并在650℃时进行保温排胶4h,再以
4℃/min升温到烧结温度并保温6h,之后以5℃/min降温到800℃后自然降温;烧结温度范围为1450℃~1575℃;
(10)后期处理:将烧结好的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷进行研磨抛光和超声波清洗,得到表面平整光滑的陶瓷样品。
说明书

技术领域

[0001] 本发明属于微波介质陶瓷材料技术领域,涉及一种具有低介电常数和高品质因数的石榴石结构微波介质陶瓷材料(Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12)及其制备方法。

背景技术

[0002] 随着物联网、5G通讯技术、卫星通讯等多路通讯技术时代的到来,无线通讯技术迅猛发展且向着更高频段的毫米波方向发展,微波介质陶瓷材料在通讯电路中作为谐振器、基板、滤波器等元器件使用。5G通讯技术时代的来临,要求系统信号延迟时间低于1毫秒,这就对微波介质陶瓷提出更高要求,需要制备出介电常数相对较低和品质因数更高的微波介质陶瓷材料以降低信号在传播过程中的信号延迟时间和传输过程中能量损耗大。从技术方面和市场方面,制备新型具有低介电常数和高品质因数的微波介质陶瓷都具有重要意义和一定的潜力。一般5G通讯和相关产业对信号延迟的要求是很高的(1毫秒之内);另一方面高的品质因数可以减小信号在传输过程中的能量损耗,提高信号的传输质量。同时通讯行业及其相关行业对通讯电路中的微波和毫米波器件比如微波基板、电容器的市场需求量也不断增加。在当前科技发展的大背景下,研究新型低介电常数和高品质因数和频率稳定性好的微波介质陶瓷已经成为众多国内外专家、学者的热点领域,也是全球通讯技术的发展的基础。本发明提供一种低介电常数和较高品质因数的微波介质陶瓷材料,用于微波与毫米波器件。

发明内容

[0003] 本发明是针对在物联网、5G通讯时代的大背景下,无线通讯技术向着更高频化、微型化、高稳定性的方向发展的需要,提供一种新型石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法,该陶瓷材料主要有Y2O3、Dy2O3、Al2O3、MgO2、SiO2组成,且具有良好的微波介电性能。
[0004] 本发明石榴石结构的微波介质陶瓷材料的化学式为Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12,该微波介质陶瓷体系的介电常数εr范围为7~8.5,品质因数Q×f的范围为46823GHz~63796GHz,谐振频率温度系数τf范围为‑34.7ppm/℃~‑37.5ppm/℃。
[0005] 本发明采用的术方案是:提供一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法,所述制备方法依次主要包括以下10个步骤:
[0006] (1)原料处理:将本次实验所用到的原料除MgO外取适量放入90℃的烘箱中进行干燥,由于将MgO的特殊性,要将MgO原料放进坩埚中在高温炉900℃下保温6小时,除去水分和MgCO3等杂质,保证实验的科学准确性;
[0007] (2)配料:Y2O3(纯度99.99%)、Dy2O3(纯度99.9%)、Al2O3(纯度99.99%)、MgO2(纯度99.99%)、SiO2(纯度99.99%)按照Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12的化学计量比进行配比;
[0008] (3)一次球磨:将称取好的原材料与无水乙醇依次倒入装有配置好锆球比例的球磨罐,原料,锆球、无水乙醇的比例为1:4.5:1.2,球磨机设置为240r/min的固定转速,定时12小时,并及时取出倒入裹有锡箔纸的托盘,放置到烘干箱中烘干;
[0009] (4)预烧:将烘干的原料过60目标准筛,放入氧化铝坩埚中,将高温炉设置成4℃/min升温到1300℃并保温4h,之后以4℃/min降温到800℃后自然降温,初步合成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0010] (5)二次球磨:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料;
[0011] (6)烘干:将Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料取出,置于烘箱中90℃干燥至恒重,得到初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物粉体;
[0012] (7)造粒成型:称取烘干后的粉体,先过60目的筛子然后用电子天平进行称量,按重量加入1.5ml~3ml的8wt%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂,将混合好的粉体过100目和140目的筛子,取中间的粉体备用,最下面一层的粉体作为烧结时的垫料。加PVA时要使其分布均匀,避免PVA集聚在小范围内,造成造粒不均匀;
[0013] (8)干压制样:选用造粒后中间部分的粉体,称取一定的质量,根据粉体和干压后的厚度不同,我们一般用直径为12mm的模具加3MPa的压力,称取大约1.8g左右的粉体,压制成7mm厚的片子测试介电性能,称取大约1.5g的粉体,采用15mm直径的模具加2Mpa的压力,压制成2mm厚的片子测试XRD等;
[0014] (9)烧结:首先垫板的第一层是ZrO2垫料,第二层是样品的垫料,将样品平整的放到上面,并在上方盖上盖子,防止烧结过程中二次污染,比如高温炉材质的脱落,其他样品烧结过程中的材料的挥发。将高温炉设置成5℃/min升温,并在650℃时进行保温排胶4h,再以4℃/min升温到烧结温度并保温6h,之后以5℃/min降温到800℃后自然降温。烧结温度范围为1450℃~1575℃;
[0015] (10)后期处理:将烧结好的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷进行研磨抛光和超声波清洗,得到表面平整光滑的陶瓷样品。
[0016] 根据所述的陶瓷制备方法制备得到Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12微波介质陶瓷。
[0017] 本发明采用传统的高温固相法,制备工艺成熟简单,生产成本较低,能够得到一种微波性能良好的低介电常数的微波介质陶瓷材料。该微波介质陶瓷具有低介电常数(7~8.5),属于低介电常数微波介质陶瓷体系,同时具有高的品质因数(46823GHz~63796GHz),谐振频率温度系数τf,范围为‑34.7ppm/℃~‑37.5ppm/℃。

实施方案

[0022] 下面对本发明的具体的实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征被本领域的技术人才理解。
[0023] 实施例1
[0024] 一种新型石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷制备,包括以下步骤:
[0025] (1)原料处理:将本次实验所用到的原料除MgO外取适量放入90℃的烘箱中进行干燥,由于将MgO的特殊性,要将MgO原料放进坩埚中在高温炉900℃下保温6小时,除去水分和MgCO3等杂质,保证实验的科学准确性;
[0026] (2)配料:Y2O3(纯度99.99%)、Dy2O3(纯度99.9%)、Al2O3(纯度99.99%)、MgO(纯度99.99%)、SiO2(纯度99.99%)按照Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12的化学计量比进行配比;用高精度电子天平称取原料,以60g为标准,称量误差控制在±0.0005g,具体为依次称取32.7782g Y2O3、1.8687g Dy2O3、4.0751g MgO、15.3108g Al2O3、6.0149g SiO2原料。
[0027] (3)一次球磨:在上述全部混合料倒入球磨罐中,加入约72g无水乙醇,置于行星式球磨机中球磨12h,及时取出倒入裹有锡箔纸的托盘,放置到烘干箱中烘干;
[0028] (4)预烧:将烘干的原料过60目标准筛,放入氧化铝坩埚中,将高温炉设置成4℃/min升温到1300℃并保温4h,之后以4℃/min降温到800℃后自然降温,初步合成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0029] (5)二次球磨:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料;
[0030] (6)烘干:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入60g无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成粒径细化的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0031] (7)造粒成型:称取烘干后的粉体,先过60目的筛子然后用电子天平进行称量,按重量加入1.5ml~3ml的8wt%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂,将混合好的粉体过100目和140目的筛子,取中间的粉体备用,最下面一层的粉体作为烧结时的垫料。加PVA时要使其分布均匀,避免PVA集聚在小范围内,造成造粒不均匀;
[0032] (8)干压制样:选用造粒后中间部分的粉体,称取一定的质量,根据粉体和干压后的厚度不同,我们一般用直径为12mm的模具加3MPa的压力,称取大约1.8g左右的粉体,压制成7mm厚的片子测试介电性能,称取大约1.5g的粉体,采用15mm直径的模具加2Mpa的压力,压制成2mm厚的片子测试XRD;
[0033] (9)烧结:首先垫板的第一层是ZrO2垫料,第二层是样品的垫料,将样品平整的放到上面,并在上方盖上盖子,防止烧结过程中二次污染,比如高温炉材质的脱落,其他样品烧结过程中的材料的挥发。将高温炉设置成5℃/min升温,并在650℃时进行保温排胶4h,再以4℃/min升温到1450℃并保温6h,之后以5℃/min降温到800℃后自然降温;
[0034] (10)后期处理:将烧结好的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷进行研磨抛光和超声波清洗,得到表面平整光滑的陶瓷样品。
[0035] 实施例2
[0036] 一种石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷制备,包括以下步骤:
[0037] (11)原料处理:将本次实验所用到的原料除MgO外取适量放入90℃的烘箱中进行干燥,由于将MgO的特殊性,要将MgO原料放进坩埚中在高温炉900℃下保温6小时,除去水分和MgCO3等杂质,保证实验的科学准确性;
[0038] (12)配料:Y2O3(纯度99.99%)、Dy2O3(纯度99.9%)、Al2O3(纯度99.99%)、MgO(纯度99.99%)、SiO2(纯度99.99%)按照Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12的化学计量比进行配比;用高精度电子天平称取原料,以60g为标准,称量误差控制在±0.0005g,具体为依次称取32.7782g Y2O3、1.8687g Dy2O3、4.0751g MgO、15.3108g Al2O3、6.0149g SiO2原料。
[0039] (13)一次球磨:在上述全部混合料倒入球磨罐中,加入约72g无水乙醇,置于行星式球磨机中球磨12h,并及时取出倒入裹有锡箔纸的托盘,放置到烘干箱中烘干;
[0040] (14)预烧:将烘干的原料过60目标准筛,放入氧化铝坩埚中,将高温炉设置成4℃/min升温到1300℃并保温4h,之后以4℃/min降温到800℃后自然降温,初步合成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0041] (15)二次球磨:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料;
[0042] (16)烘干:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入60g无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成粒径细化的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0043] (17)造粒成型:称取烘干后的粉体,先过60目的筛子然后用电子天平进行称量,按重量加入1.5ml~3ml的8wt%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂,将混合好的粉体过100目和140目的筛子,取中间的粉体备用,最下面一层的粉体作为烧结时的垫料。加PVA时要使其分布均匀,避免PVA集聚在小范围内,造成造粒不均匀;
[0044] (18)干压制样:选用造粒后中间部分的粉体,称取一定的质量,根据粉体和干压后的厚度不同,我们一般用直径为12mm的模具加3MPa的压力,称取大约1.8g左右的粉体,压制成7mm厚的片子测试介电性能,称取大约1.5g的粉体,采用15mm直径的模具加2Mpa的压力,压制成2mm厚的片子测试XRD;
[0045] (19)烧结:首先垫板的第一层是ZrO2垫料,第二层是样品的垫料,将样品平整的放到上面,并在上方盖上盖子,防止烧结过程中二次污染,比如高温炉材质的脱落,其他样品烧结过程中的材料的挥发。将高温炉设置成5℃/min升温,并在650℃时进行保温排胶4h,再以4℃/min升温到1475℃并保温6h,之后以5℃/min降温到800℃后自然降温;
[0046] (20)后期处理:将烧结好的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷进行研磨抛光和超声波清洗,得到表面平整光滑的陶瓷样品。
[0047] 实施例3
[0048] 一种新型石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷制备,包括以下步骤:
[0049] (21)原料处理:将本次实验所用到的原料除MgO外取适量放入90℃的烘箱中进行干燥,由于将MgO的特殊性,要将MgO原料放进坩埚中在高温炉900℃下保温6小时,除去水分和MgCO3等杂质,保证实验的科学准确性;
[0050] (22)配料:Y2O3(纯度99.99%)、Dy2O3(纯度99.9%)、Al2O3(纯度99.99%)、MgO(纯度99.99%)、SiO2(纯度99.99%)按照Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12的化学计量比进行配比;用高精度电子天平称取原料,以60g为标准,称量误差控制在±0.0005g,具体为依次称取32.7782g Y2O3、1.8687g Dy2O3、4.0751g MgO、15.3108g Al2O3、6.0149g SiO2原料。
[0051] (23)一次球磨:在上述全部混合料倒入球磨罐中,加入约72g无水乙醇,置于行星式球磨机中球磨12h,及时取出倒入裹有锡箔纸的托盘,放置到烘干箱中烘干;
[0052] (24)预烧:将烘干的原料过60目标准筛,放入氧化铝坩埚中,将高温炉设置成4℃/min升温到1300℃并保温4h,之后以4℃/min降温到800℃后自然降温,初步合成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0053] (25)二次球磨:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料;
[0054] (26)烘干:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入60g无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成粒径细化的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0055] (27)造粒成型:称取烘干后的粉体,先过60目的筛子然后用电子天平进行称量,按重量加入1.5ml~3ml的8wt%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂,将混合好的粉体过100目和140目的筛子,取中间的粉体备用,最下面一层的粉体作为烧结时的垫料。加PVA时要使其分布均匀,避免PVA集聚在小范围内,造成造粒不均匀;
[0056] (28)干压制样:选用造粒后中间部分的粉体,称取一定的质量,根据粉体和干压后的厚度不同,我们一般用直径为12mm的模具加3MPa的压力,称取大约1.8g左右的粉体,压制成7mm厚的片子测试介电性能,称取大约1.5g的粉体,采用15mm直径的模具加2Mpa的压力,压制成2mm厚的片子测试XRD;
[0057] (29)烧结:首先垫板的第一层是ZrO2垫料,第二层是样品的垫料,将样品平整的放到上面,并在上方盖上盖子,防止烧结过程中二次污染,比如高温炉材质的脱落,其他样品烧结过程中的材料的挥发。将高温炉设置成5℃/min升温,并在650℃时进行保温排胶4h,再以4℃/min升温到1500℃并保温6h,之后以5℃/min降温到800℃后自然降温;
[0058] (30)后期处理:将烧结好的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷进行研磨抛光和超声波清洗,得到表面平整光滑的陶瓷样品。
[0059] 实施例4
[0060] 一种新型石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷制备,包括以下步骤:
[0061] (31)原料处理:将本次实验所用到的原料除MgO外取适量放入90℃的烘箱中进行干燥,由于将MgO的特殊性,要将MgO原料放进坩埚中在高温炉900℃下保温6小时,除去水分和MgCO3等杂质,保证实验的科学准确性;
[0062] (32)配料:Y2O3(纯度99.99%)、Dy2O3(纯度99.9%)、Al2O3(纯度99.99%)、MgO(纯度99.99%)、SiO2(纯度99.99%)按照Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12的化学计量比进行配比;用高精度电子天平称取原料,以60g为标准,称量误差控制在±0.0005g,具体为依次称取32.7782g Y2O3、1.8687g Dy2O3、4.0751g MgO、15.3108g Al2O3、6.0149g SiO2原料。
[0063] (33)一次球磨:在上述全部混合料倒入球磨罐中,加入约72g无水乙醇,置于行星式球磨机中球磨12h,及时取出倒入裹有锡箔纸的托盘,放置到烘干箱中烘干;
[0064] (34)预烧:将烘干的原料过60目标准筛,放入氧化铝坩埚中,将高温炉设置成4℃/min升温到1300℃并保温4h,之后以4℃/min降温到800℃后自然降温,初步合成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0065] (35)二次球磨:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料;
[0066] (36)烘干:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入60g无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成粒径细化的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0067] (37)造粒成型:称取烘干后的粉体,先过60目的筛子然后用电子天平进行称量,按重量加入1.5ml~3ml的8wt%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂,将混合好的粉体过100目和140目的筛子,取中间的粉体备用,最下面一层的粉体作为烧结时的垫料。加PVA时要使其分布均匀,避免PVA集聚在小范围内,造成造粒不均匀;
[0068] (38)干压制样:选用造粒后中间部分的粉体,称取一定的质量,根据粉体和干压后的厚度不同,我们一般用直径为12mm的模具加3MPa的压力,称取大约1.8g左右的粉体,压制成7mm厚的片子测试介电性能,称取大约1.5g的粉体,采用15mm直径的模具加2Mpa的压力,压制成2mm厚的片子测试XRD;
[0069] (39)烧结:首先垫板的第一层是ZrO2垫料,第二层是样品的垫料,将样品平整的放到上面,并在上方盖上盖子,防止烧结过程中二次污染,比如高温炉材质的脱落,其他样品烧结过程中的材料的挥发。将高温炉设置成5℃/min升温,并在650℃时进行保温排胶4h,再以4℃/min升温到1525℃并保温6h,之后以5℃/min降温到800℃后自然降温;
[0070] (40)后期处理:将烧结好的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷进行研磨抛光和超声波清洗,得到表面平整光滑的陶瓷样品。
[0071] 实施例5
[0072] 一种新型石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷制备,包括以下步骤:
[0073] (41)原料处理:将本次实验所用到的原料除MgO外取适量放入90℃的烘箱中进行干燥,由于将MgO的特殊性,要将MgO原料放进坩埚中在高温炉900℃下保温6小时,除去水分和MgCO3等杂质,保证实验的科学准确性;
[0074] (42)配料:Y2O3(纯度99.99%)、Dy2O3(纯度99.9%)、Al2O3(纯度99.99%)、MgO(纯度99.99%)、SiO2(纯度99.99%)按照Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12的化学计量比进行配比;用高精度电子天平称取原料,以60g为标准,称量误差控制在±0.0005g,具体为依次称取32.7782g Y2O3、1.8687g Dy2O3、4.0751g MgO、15.3108g Al2O3、6.0149g SiO2原料。
[0075] (43)一次球磨:在上述全部混合料倒入球磨罐中,加入约72g无水乙醇,置于行星式球磨机中球磨12h,及时取出倒入裹有锡箔纸的托盘,放置到烘干箱中烘干;
[0076] (44)预烧:将烘干的原料过60目标准筛,放入氧化铝坩埚中,将高温炉设置成4℃/min升温到1300℃并保温4h,之后以4℃/min降温到800℃后自然降温,初步合成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0077] (45)二次球磨:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料;
[0078] (46)烘干:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入60g无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成粒径细化的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0079] (47)造粒成型:称取烘干后的粉体,先过60目的筛子然后用电子天平进行称量,按重量加入1.5ml~3ml的8wt%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂,将混合好的粉体过100目和140目的筛子,取中间的粉体备用,最下面一层的粉体作为烧结时的垫料。加PVA时要使其分布均匀,避免PVA集聚在小范围内,造成造粒不均匀;
[0080] (48)干压制样:选用造粒后中间部分的粉体,称取一定的质量,根据粉体和干压后的厚度不同,我们一般用直径为12mm的模具加3MPa的压力,称取大约1.8g左右的粉体,压制成7mm厚的片子测试介电性能,称取大约1.5g的粉体,采用15mm直径的模具加2Mpa的压力,压制成2mm厚的片子测试XRD;
[0081] (49)烧结:首先垫板的第一层是ZrO2垫料,第二层是样品的垫料,将样品平整的放到上面,并在上方盖上盖子,防止烧结过程中二次污染,比如高温炉材质的脱落,其他样品烧结过程中的材料的挥发。将高温炉设置成5℃/min升温,并在650℃时进行保温排胶4h,再以4℃/min升温到1550℃并保温6h,之后以5℃/min降温到800℃后自然降温;
[0082] (50)后期处理:将烧结好的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷进行研磨抛光和超声波清洗,得到表面平整光滑的陶瓷样品。
[0083] 实施例6
[0084] 一种新型石榴石结构的低介电常数微波介质陶瓷制备,包括以下步骤:
[0085] (51)原料处理:将本次实验所用到的原料除MgO外取适量放入90℃的烘箱中进行干燥,由于将MgO的特殊性,要将MgO原料放进坩埚中在高温炉900℃下保温6小时,除去水分和MgCO3等杂质,保证实验的科学准确性;
[0086] (52)配料:Y2O3(纯度99.99%)、Dy2O3(纯度99.9%)、Al2O3(纯度99.99%)、MgO(纯度99.99%)、SiO2(纯度99.99%)按照Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12的化学计量比进行配比;用高精度电子天平称取原料,以60g为标准,称量误差控制在±0.0005g,具体为依次称取32.7782g Y2O3、1.8687g Dy2O3、4.0751g MgO、15.3108g Al2O3、6.0149g SiO2原料。
[0087] (53)一次球磨:在上述全部混合料倒入球磨罐中,加入约72g无水乙醇,置于行星式球磨机中球磨12h,及时取出倒入裹有锡箔纸的托盘,放置到烘干箱中烘干;
[0088] (54)预烧:将烘干的原料过60目标准筛,放入氧化铝坩埚中,将高温炉设置成4℃/min升温到1300℃并保温4h,之后以4℃/min降温到800℃后自然降温,初步合成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0089] (55)二次球磨:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物浆料;
[0090] (56)烘干:将初步合成的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物加入60g无水乙醇置于球磨机中研磨12h,形成粒径细化的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12化合物;
[0091] (57)造粒成型:称取烘干后的粉体,先过60目的筛子然后用电子天平进行称量,按重量加入1.5ml~3ml的8wt%的聚乙烯醇溶液(PVA)作为粘合剂,将混合好的粉体过100目和140目的筛子,取中间的粉体备用,最下面一层的粉体作为烧结时的垫料。加PVA时要使其分布均匀,避免PVA集聚在小范围内,造成造粒不均匀;
[0092] (58)干压制样:选用造粒后中间部分的粉体,称取一定的质量,根据粉体和干压后的厚度不同,我们一般用直径为12mm的模具加3MPa的压力,称取大约1.8g左右的粉体,压制成7mm厚的片子测试介电性能,称取大约1.5g的粉体,采用15mm直径的模具加2Mpa的压力,压制成2mm厚的片子测试XRD;
[0093] (59)烧结:首先垫板的第一层是ZrO2垫料,第二层是样品的垫料,将样品平整的放到上面,并在上方盖上盖子,防止烧结过程中二次污染,比如高温炉材质的脱落,其他样品烧结过程中的材料的挥发。将高温炉设置成5℃/min升温,并在650℃时进行保温排胶4h,再以4℃/min升温到1575℃并保温6h,之后以5℃/min降温到800℃后自然降温;
[0094] (60)后期处理:将烧结好的Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷进行研磨抛光和超声波清洗,得到表面平整光滑的陶瓷样品。
[0095] 上述的6个具体实施例中,实施例1中得到了最低的介电常数,介电常数值为7,实施例5中得到最高的品质因数63796GHz,实施例1中获得最好的谐振频率温度系数‑34.5ppm/℃,稳定性最好。本发明采用Hakki‑Coleman提出的介质谐振腔法测试圆柱体陶瓷谐振频率下的介电常数与微波介电性能,具体的性能参数见附图1~4。
[0096] 上述实施例并非是对于本发明的限制,本发明并非仅限于上述实例,只要符合本发明要求,均属于本发明的保护范围。

附图说明

[0018] 图1为本发明实施1~10制备得到的陶瓷材料XRD图谱;
[0019] 图2为本发明实施1~10制备得到的陶瓷材料介电常数附图;
[0020] 图3为本发明实施1~10制备得到的陶瓷材料品质因数附图;
[0021] 图4为本发明实施1~10制备得到的陶瓷材料谐振频率温度系数附图。
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