一种双对氯苯基三氯乙烷的去除方法   0    0

[0001] 本发明属于水处理技术领域，涉及一种双对氯苯基三氯乙烷的去除方法。

[0002] DDT中文名滴滴涕，化学名称是双对氯苯基三氯乙烷，是一种广泛使用的有机氯农药。它是一种无臭、无味的白色晶体，不溶于水，溶于大多的有机溶剂、油脂和脂肪，特别容易在生态系统中产生富集效应。DDT具有生理效应和“三致”效应，会对生态环境和人体健康有着极其严重的伤害，DDT以及类似化合物DDD、DDE是被美国EPA列为优先污染物中的20种农药其中的3种，同时也是国际pops公约首批持久性有机污染物。虽然在20世纪50年代，很多国家都开始对DDT开始了禁止或限制使用，但是疟疾、登革热、黄热病等在世界范围的卷土重来，世界卫生组织（WHO）宣布重新启用DDT来应对这一问题。由于苯环和取代基氯原子结构，DDT类化合物的抗光解性、化学分解和生物降解性能力超强。传统的物理和化学方法对DDT的处理效果一直不是很理想，生物吸附与降解是解决DDT污染最有潜力的方法之一，但生物对化合物选择性高，耗时长，尤其是当水样中的DDT的含量很低的时候，生物修复的效果相对更差一点。

[0003] 本发明目的在于提供一种双对氯苯基三氯乙烷的去除方法。

[0004] 为实现上述目的，本发明提供的技术方案是：一种双对氯苯基三氯乙烷的去除方法，包括下列步骤：

[0005] 第一步：将多孔聚二甲基硅氧烷浸入有机溶剂中使所述多孔聚二甲基硅氧烷的孔隙内填入有机溶剂得到吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷，所述有机溶剂为甲苯、正己烷或三氯甲烷；

[0006] 第二步：将所述吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷放入待处理的水中，搅拌使水中的双对氯苯基三氯乙烷被吸附至所述吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷。

[0007] 优选的技术方案为：所述有机溶剂为正己烷。

[0008] 优选的技术方案为：第二步处理的时间大于或等于2.5小时。

[0009] 优选的技术方案为：向所述水中添加氯化钠，该氯化钠的添加量为大于或等于水的质量的20%。

[0010] 由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有的优点是：

[0011] 本发明建立了多孔PDMS液相束缚系统富集水样中微量的DDT，建立了高效、快速富集水中的DDT以去除DDT的方法。

[0012] 以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

[0013] 实施例一：一种双对氯苯基三氯乙烷的去除方法

[0014] 一种双对氯苯基三氯乙烷的去除方法，包括下列步骤：

[0015] 第一步：将多孔聚二甲基硅氧烷浸入有机溶剂中使所述多孔聚二甲基硅氧烷的孔隙内填入有机溶剂得到吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷，所述有机溶剂为甲苯；

[0016] 第二步：将所述吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷放入待处理的水中，搅拌使水中的双对氯苯基三氯乙烷被吸附至所述吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷。

[0017] 优选的实施方式为：第二步处理的时间为3小时。

[0018] 优选的实施方式为：向所述水中添加氯化钠，该氯化钠的添加量为水的质量的20%。

[0019] 富集一段时间后，取出多孔PDMS材料，挤压后，放入离心管，4000r/min，离心5分钟，取有机溶剂，多孔PDMS可以循环使用。结果表明：甲苯的回收率为23.5%。

[0020] 实施例二：一种双对氯苯基三氯乙烷的去除方法

[0021] 一种双对氯苯基三氯乙烷的去除方法，包括下列步骤：

[0022] 第一步：将多孔聚二甲基硅氧烷浸入有机溶剂中使所述多孔聚二甲基硅氧烷的孔隙内填入有机溶剂得到吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷，所述有机溶剂为正己烷；

[0023] 第二步：将所述吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷放入待处理的水中，搅拌使水中的双对氯苯基三氯乙烷被吸附至所述吸附有有机溶剂的多孔聚二甲基硅氧烷。

[0024] 优选的实施方式为：第二步处理的时间为2.5小时。

[0025] 优选的实施方式为：向所述水中添加氯化钠，该氯化钠的添加量为水的质量的25%。

[0026] 结果表明：正己烷的回收率为108.32%。

[0027] 结果表明：因为NaCl是一种极性很强的化合物，会增加溶液的极性，从而让DDT在水溶液的溶解度降低。当水溶液中的NaCl的浓度不断增加，DDT和NaCl离子浓度的范德华力增加，使两者之间的传输速率降低，因此富集效率在20%以后呈现下降趋势。

[0028] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。