发明内容
[0004] 本发明的目的在于提出一种结构简单、成本低、能够快速完成雪崩光电二极管的淬灭恢复功能的电路。
[0005] 本发明包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第四电容C4、第二电阻R2、第三电阻R3、与非门、第一电源和脉冲；所述第十MOS管M10的漏极接第二MOS管M2的漏极、第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极、第九MOS管M9的漏极并接第一电源的正极，第一电源的负极接地；第十MOS管M10的源极接第二MOS管M2的源极和第一MOS管M1的漏极；第一MOS管M1的栅极接第一MOS管M1的源极、第三MOS管M3的栅极、第七MOS管M7的漏极以及第四MOS管M4的栅极；第十MOS管M10的栅极接第七MOS管M7的栅极、第八MOS管M8的漏极及第九MOS管M9的源极；第二MOS管M2的栅极接第三MOS管M3的漏极、第四MOS管M4的源极、第五MOS管M5的栅极、第六MOS管M6的栅极以及第四电容C4的一端；第三MOS管M3的漏极输出单光子探测信号；第三MOS管M3的源极接第六MOS管M6的源极、第七MOS管M7的源极以及第八MOS管M8的源极并接地；第四电容C4的另一端接第二电阻R2和第三电阻R3的一端；第二电阻R2的另一端接第五MOS管M5的源极和第六MOS管M6的漏极；第三电阻R3的另一端接第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极。
[0006] 所述的与非门由第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16和第十七MOS管M17组成；第十六MOS管M16的漏极接第十七MOS管M17的源极并输出单光子信号；第十六MOS管M16的栅极接第十七MOS管M17的栅极、第十二MOS管M12的源极、第十三MOS管M13的源极以及第十四MOS管M14的漏极；第十二MOS管M12的漏极接第十三MOS管M13的漏极和第十七MOS管M17的漏极并接第一电源的正极；第十二MOS管M12的栅极接第十五MOS管M15的栅极和脉冲的正极；第十四MOS管M14的源极接第十五MOS管M15的漏极；脉冲的负极接第十五MOS管M15的源极和第十六MOS管M16的源极并接地；第十三MOS管M13的栅极接第十四MOS管M14的栅极；第十四MOS管M14的栅极接第九MOS管M9的源极输出的采样保持信号。
[0007] 所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4组成检测器。
[0008] 所述的第五MOS管M5、第六MOS管M6、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电容C4组成延迟器，其中，第五MOS管M5和第六MOS管M6组成第一个反相器，第八MOS管M8和第九MOS管M9组成第二个反相器。
[0009] 所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第九MOS管M9和第十MOS管M10为PMOS管；所述的第三MOS管M3、第六MOS管M6、第七MOS管M7和第八MOS管M8为NMOS管。
[0010] 所述的第十二MOS管M12、第十三MOS管M13和第十七MOS管M17为PMOS管；所述的第十四MOS管M14、第十五MOS管M15和第十六MOS管M16为NMOS管。
[0011] 本发明的有益效果在于：
[0012] 本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号(第三MOS管M3的漏极输出的单光子探测信号Vout2)为高电平，M2内阻升高两端电压增加，M7导通，M10截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能。当检测器的输出信号为低电平时，M2内阻降低两端电压减少，M7截止，M10导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。
