首页 > 专利 > 杭州电子科技大学 > 一种基于热对流原理的微机械加速度传感器专利详情

一种基于热对流原理的微机械加速度传感器   0    0

有效专利 查看PDF
专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2017-06-11
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2017-10-24
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2021-05-28
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2037-06-11
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 发明专利
申请号 CN201710435499.2 申请日 2017-06-11
公开/公告号 CN107192849B 公开/公告日 2021-05-28
授权日 2021-05-28 预估到期日 2037-06-11
申请年 2017年 公开/公告年 2021年
缴费截止日
分类号 G01P15/08 主分类号 G01P15/08
是否联合申请 独立申请 文献类型号 B
独权数量 1 从权数量 5
权利要求数量 6 非专利引证数量 0
引用专利数量 0 被引证专利数量 0
非专利引证
引用专利 被引证专利
专利权维持 5 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查、授权
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 杭州电子科技大学 当前专利权人 杭州电子科技大学
发明人 汶飞、刘晓阳、李丽丽、王高峰、叶剑飞、王路文、吴薇 第一发明人 汶飞
地址 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 邮编 310018
申请人数量 1 发明人数量 7
申请人所在省 浙江省 申请人所在市 浙江省杭州市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
杭州奥创知识产权代理有限公司 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
王佳健
摘要
本发明涉及一种基于热对流原理的微机械加速度传感器的设计及其制作方法。本发明所涉及的热对流式微机械加速度传感器没有在硅片上开孔形成腔结构,而是通过BCB键合胶把玻璃盖板和硅片键合来形成密闭空腔,并且在所述的第一基底上制作了一层聚酰亚胺膜来防止热量散失,保证热气团更好地发挥作用和降低功耗,另外聚酰亚胺膜也可以防止铂电极漏电,这种设计使工艺过程变得简单而且制作出来的传感器结构更稳定,可靠性高,性能也更好。
  • 摘要附图
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图1
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(a)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(b)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(c)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(d)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(e)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(f)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(g)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(h)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
  • 说明书附图:图2(i)
    一种基于热对流原理的微机械加速度传感器
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2021-05-28 授权
2 2017-10-24 实质审查的生效 IPC(主分类): G01P 15/08 专利申请号: 201710435499.2 申请日: 2017.06.11
3 2017-09-22 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.基于热对流原理的微机械加速度传感器,其特征在于:
包括第一基板及其上表面的聚酰亚胺膜、参考区氧化铝薄膜;
制作在膜上的铂电阻、制作在膜上与铂电阻相连接用以接入接出信号的金互连线;
制作在整个芯片上的最外层氮化硅保护层;
与第一基板的硅片键合在一起的玻璃盖板;
所述的铂电阻一共四部分,包括:
一个加热电阻;
两个完全相同的传感电阻,对称放置于加热电阻的两边,形成差分放大;
一个参考电阻;
所有铂电阻均为“S”形布置;
其中具有隔热绝缘特性的聚酰亚胺膜来防止热量散失使热气团更好地发挥作用和降低功耗;用BCB键合胶来对玻璃盖板与硅片进行键合,从而形成一个密闭的空腔;
所述参考电阻制作于参考区的氧化铝薄膜之上,且参考电阻的阻值与加热电阻的阻值成一定的比例关系,通过与外接电路的配合来实现对器件工作温度的控制和调节;
加热电阻对密闭空腔中的空气进行加热后,在没有加速度的情况下,密闭腔中的空气进行自然对流,温度场保持恒定,对称放置在加热电阻两边的传感电阻感知到的温度场是相同的,相应的电阻值也相等,再通过外接电路,两边输出的电压值相同,外接检测电路的差分放大器输出为0;
当对传感器施加某一敏感方向的加速度时,温度场的平衡被打破,温度场的改变将使两边传感电阻的电阻值大小发生改变,这样,通过外接检测电路就可测量出一个差分信号,进而测出加速度;
该微机械加速度传感器采用以下方式制作:
步骤1、选用单抛的低阻硅片作为第一基板,在低阻硅片的抛光面形成聚酰亚胺膜,并亚胺化;
步骤2、结合第一掩膜版,用光刻胶作为掩膜,使用离子刻蚀RIE刻蚀聚酰亚胺膜,并利用剥离工艺做出参考区;
步骤3、结合第一掩膜版,用光刻胶作为掩膜,曝光、显影后使用光学镀膜机做氧化铝,采用温度100摄氏度,并利用剥离工艺将不需要的氧化铝去除,形成氧化铝参考区;
步骤4、结合第二掩膜版,用光刻胶做掩膜,使用磁控溅射机溅射铂,溅射铂之前先溅射一层铬或钛来增加铂和基底的粘附性,然后用剥离工艺将不需要的铬铂或钛去除,形成铂电阻;
步骤5、用磁控溅射机在整个表面溅射一层20~500纳米的铬或钛,再在铬或钛上溅射一层20~500纳米的金,然后结合第三掩膜版,用光刻胶作为掩膜,曝光、显影成后放入电镀液中通电,进行金的电镀,到达需要的厚度之后取出,去胶,然后用IBE刻蚀机在已做好结构的一面整片刻蚀掉40~1000纳米厚度的金属层,形成金互连线;
步骤6、用PECVD在已做好结构的第一基板上沉积氮化硅,形成氮化硅薄膜,即保护层;
步骤7、结合第三掩膜版,用光刻胶作为掩膜,曝光、显影后使用RIE离子刻蚀进行氮化硅的刻蚀,去胶后在金互连线端点处形成引线区,涂覆光敏性的BCB键合胶,然后结合第五掩膜版,曝光、显影后形成图形化了的BCB键合胶,得到键合区;
步骤8、将玻璃盖板与硅片通过BCB键合胶11键合在一起形成密闭空腔,并进行BCB胶的固化。

2.根据权利要求1所述的微机械加速度传感器,其特征在于:所述的聚酰亚胺薄膜厚度为2~200微米。

3.根据权利要求1所述的微机械加速度传感器,其特征在于:所述的参考区是在聚酰亚胺薄膜上刻蚀形成的一个长方体凹槽,凹槽的长度30~3000微米、宽度20~2000微米、深度
2~200微米,所述的氧化铝薄膜填满参考区且上表面平整并与其它平面形成同一平面。

4.根据权利要求1所述的微机械加速度传感器,其特征在于:所述加热电阻,长度20~
6000微米,宽度1~100微米,厚度0.1~10微米;两个传感电阻长、宽、厚度和形状均相同,均为长度20~6000微米,宽度1~100微米,厚度0.1~10微米;一个参考电阻,长度20~20000微米,宽度1~100微米,厚度0.1~10微米。

5.根据权利要求1所述的微机械加速度传感器,其特征在于:所述的金互连线主体部分宽度100~2000微米,厚度1~10微米。

6.根据权利要求1所述的微机械加速度传感器,其特征在于:所述的氮化硅保护层厚度
0.3~3微米,在金互连线的端点处有边长为100~2000微米的正方形开孔,作为键合区,用以封装时接引线。
说明书

技术领域

[0001] 本发明属于微电子机械技术领域,涉及一种微惯性传感器,具体涉及一种基于热对流原理的微机械加速度传感器的设计及其制作方法。

背景技术

[0002] 近年来微机械加速度传感器的应用领域越来越广,市场也越来越大,随着微机械加工技术的快速发展,越来越多高性能的微机械加速度传感器被研制出来。微机械加速度传感器按照原理不同可分为电容式、压阻式、压电式、隧道电流式、热对流式、谐振式等多种类型,其中电容式加速度传感器由于具有灵敏度高,稳定性好,温度系数小等优点,因此基于电容检测的加速度传感器是目前研制最多的一类传感器。但是由于该类型的加速度传感器需要大量的梳齿结构,梳齿间的间距也很小,如果施加的加速度较大,或者极板间落入颗粒的话将会导致粘连失效甚至损坏,因此在测量较大加速度或在一些特殊的环境中不适用。
[0003] 压阻式加速度传感器利用了半导体的压阻效应,外界的加速度信号会改变力敏电阻的电阻率,从而通过外界电路即可检测出该信号。压阻式加速度传感器的灵敏系数大,分辨率高,但是该类型加速度传感器温度漂移较大,使用温度受到限制。压电式、隧道电流式、谐振式等都应用相对较少。热对流式加速度传感器对比以上各类型的微惯性传感器有较大的优势。热对流式加速度传感器没有实体的质量块,而是通过加热空气形成可以移动的小热气团作为虚拟的敏感质量块,然后通过测量由加速度引起的温度场的变化来测量加速度,因此它不会受到实体质量块的限制,体积可以做到更小,而且它可以用硅表面工艺来进行加工,结构简单工艺成熟,良品率可达90%以上;并且由于没有实体质量块,热对流式微机械加速度传感器可抵抗超过50000g的冲击而不被损坏。热对流式加速度传感器完全基于标准的CMOS制造工艺,与IC工艺完全兼容,可满足大批量生产。
[0004] 热对流式加速度传感器是基于温度敏感电阻的原理,因此,电阻材料的温度敏感性对加速度计的灵敏度、响应时间等性能有重大影响,所以选择合适的材料对于能否做出高性能的热对流加速度传感器至关重要。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种基于热对流原理的微机械加速度传感器的设计及其制作方法,该热对流式微机械加速度传感器使用温度敏感性较好的材料——铂来制作传感器的核心部分——温度敏感电阻;用导电性能较好的材料——金来制作传递信号用的互连线;用具有隔热绝缘特性的聚酰亚胺膜来防止热量散失使热气团更好地发挥作用和降低功耗;在最后用BCB键合胶来对玻璃盖板与硅片进行键合,从而形成一个密闭的空腔,避免外界空气对传感器产生不利影响。本发明所涉及的热对流微机械加速度传感器使用硅表面工艺来进行加工制作,工艺过程简单,与IC工艺兼容,有利于提高芯片集成度,可靠性高,灵敏度高,性能好。
[0006] 本发明提供的热对流式微机械加速度传感器包括第一基板及其抛光面上的聚酰亚胺膜、参考区氧化铝薄膜、制作在膜上的铂电阻、制作在膜上与铂电阻相连接用以接入接出信号的金互连线、制作在第一基板已做好结构的一面的最外层氮化硅保护层、与硅片键合在一起的玻璃盖板。
[0007] 所述的聚酰亚胺薄膜制作于第一基板硅片上,厚度2~200微米。
[0008] 所述的参考区在聚酰亚胺薄膜上刻蚀出的长度30~3000微米、宽度20~2000微米、深度2~200微米的长方体凹槽。
[0009] 所述的氧化铝薄膜填满参考区且上表面平整并与其它平面形成同一平面。
[0010] 所述的铂电阻均为“S”形布置,一共四部分,包括一个加热电阻,长度20~6000微米,宽度1~100微米,厚度0.1~10微米;两个传感电阻,长度20~6000微米,宽度1~100微米,厚度0.1~10微米,且两个传感电阻长度、宽度、厚度和形状均相同,对称放置于加热电阻的两边;一个参考电阻,长度20~20000微米,宽度1~100微米,厚度0.1~10微米,制作在氧化铝薄膜上。所述的金互连线主体部分宽度100~2000微米,厚度1~10微米。
[0011] 所述的氮化硅保护层厚度0.3~3微米,在金互连线的端点处有边长为100~2000微米的正方形开孔,作为键合区,用以封装时接引线。
[0012] 所述的玻璃盖板通过BCB键合胶与硅片键合在一起,形成密闭空腔。
[0013] 制作该微机械加速度传感器的具体步骤是:
[0014] (1)在第一基板的抛光面上形成聚酰亚胺薄膜;
[0015] (2)刻蚀聚酰亚胺膜形成参考区;
[0016] (3)在参考区填满氧化铝;
[0017] (4)在参考区的氧化铝薄膜上和其他区域的聚酰亚胺膜上形成铂电阻;
[0018] (5)在聚酰亚胺膜上形成金互连线;
[0019] (6)在第一基板已做好结构的一面的最外层形成氮化硅薄膜;
[0020] (7)刻蚀氮化硅薄膜,在所述金互连线端点处形成键合区;
[0021] (8)使用BCB键合技术把玻璃盖板和硅片键合在一起形成密闭空腔。
[0022] 综上所述,根据本发明方法可以实现由第一基板及其抛光面上的聚酰亚胺膜、参考区氧化铝薄膜、制作在膜上的铂电阻、制作在膜上与铂电阻相连接的金互连线、制作在第一基板已做好结构的一面的最外层氮化硅薄膜、与硅片键合在一起的玻璃盖板组成的热对流式微机械加速度传感器。参考电阻、加热电阻和传感电阻材料均为铂,加热电阻和传感电阻均制作在聚酰亚胺膜上组成核心作用部件,处于同一敏感方向,形成一个敏感轴;参考电阻制作在参考区的氧化铝薄膜上,参考区不在敏感轴上且远离核心作用部件,以防止核心作用部件产生的热量影响参考电阻检测外部环境温度的准确度。本发明涉及的热对流式微机械加速度传感器使用铂、金等温度敏感性好的材料,所制作的电阻长度、宽度和厚度都经过计算和仿真,得到的最优结果。本发明所涉及的热对流式微机械加速度传感器没有在硅片上开孔形成腔结构,而是通过BCB键合胶把玻璃盖板和硅片键合来形成密闭空腔,并且在所述的第一基底上制作了一层聚酰亚胺膜来防止热量散失,保证热气团更好地发挥作用和降低功耗,另外聚酰亚胺膜也可以防止铂电极漏电,这种设计使工艺过程变得简单而且制作出来的传感器结构更稳定,可靠性高,性能也更好。

实施方案

[0038] 以下结合实施例和附图对本发明做进一步说明,但本发明决非仅限于所介绍的实施例。
[0039] 本发明的实施例涉及一种热对流式微机械加速度传感器,如图1所示,在第一基板的抛光面上做上一层聚酰亚胺膜,刻蚀聚酰亚胺薄膜形成参考区凹槽,再生长氧化铝形成氧化铝参考区,此参考区表面与其他聚酰亚胺区域表面处于同一平面;主作用部分由加热电阻和传感电阻组成,它们均制作于聚酰亚胺膜之上,且两个传感电阻长、宽、厚度及形状均相同,对称放置在加热电阻两边,到加热电阻的距离相等;参考电阻制作于参考区的氧化铝薄膜之上,且参考电阻的阻值与加热电阻的阻值成一定的比例关系,这样再通过与外接电路的配合来实现对器件工作温度的控制和调节;互连线连接在各电阻的端点处;使用BCB键合技术把玻璃盖板和硅片键合在一起。
[0040] 本实施例涉及的基于热对流原理的微机械加速度传感器的制作方法,参考图2(a)‑2(i)的工艺流程图来进行说明,主要包括以下工艺步骤:
[0041] a、选用单抛的低阻硅片作为第一基板1,在硅片的抛光面形成聚酰亚胺膜2,并亚胺化。
[0042] b、结合掩膜版(Mask 1),用光刻胶作为掩膜,使用离子刻蚀RIE刻蚀聚酰亚胺膜,并利用剥离工艺做出参考区3。
[0043] c、结合掩膜版(Mask 1),用光刻胶作为掩膜,曝光、显影后使用光学镀膜机做氧化铝,采用温度100摄氏度,并利用剥离工艺将不需要的氧化铝去除,形成氧化铝参考区4。
[0044] d、结合掩膜版(Mask 2),用光刻胶做掩膜,使用磁控溅射机溅射铂,溅射铂之前先溅射一层铬(或钛)来增加铂和基底的粘附性,然后用剥离工艺将不需要的铬铂(或钛铂)去除,形成铂电阻5、6、7。
[0045] e、用磁控溅射机在整个表面溅射一层20~500纳米的铬(或钛),再在铬上溅射一层20~500纳米的金,然后结合掩膜版(Mask 3),用光刻胶作为掩膜,曝光、显影成后放入电镀液中通电,进行金的电镀,到达需要的厚度之后取出,去胶,然后用IBE刻蚀机在已做好结构的一面整片刻蚀掉40~1000纳米厚度的金属层,形成金互连线8。
[0046] f、用PECVD在已做好结构的一面整片沉积氮化硅,形成保护层9。
[0047] g、结合掩膜版(Mask 4),用光刻胶作为掩膜,曝光、显影后使用RIE离子刻蚀进行氮化硅的刻蚀,去胶后在金互连线端点处形成引线区10。
[0048] h、涂覆光敏性的BCB键合胶,然后结合掩膜版(Mask 5),曝光、显影后形成图形化了的BCB键合胶11。
[0049] i、玻璃盖板12与器件通过BCB键合胶11键合在一起,并进行BCB胶的固化,器件完成。
[0050] 由以上工艺步骤制作出本发明涉及的热对流式微机械加速度传感器。结合图1的整体结构示意图对本发明的原理进行说明。
[0051] 参考电阻制作在氧化铝上边,与加热电阻通过外接电路连接来形成一个闭环的加热电阻控制电路,该控制电路用于实现加热控制和温度补偿功能。传感电阻的作用是检测加热电阻两侧的温度场的变化,加热电阻对密闭空腔中的空气进行加热后,在没有加速度的情况下,密闭腔中的空气进行自然对流,温度场保持恒定,对称放置在加热电阻两边的传感电阻感知到的温度场是相同的,相应的电阻值也相等,再通过外接电路,两边输出的电压值相同,外接检测电路的差分放大器输出为0;当对传感器施加一个如图1所示某一敏感方向的加速度时,温度场的平衡被打破,温度场的改变将使两边传感电阻的电阻值大小发生改变,这样,通过外接检测电路就可测量出一个差分信号,进而测出加速度。由于材料的温度敏感性很强,本发明涉及的热对流式微机械加速度传感器精度高,性能好。同时本发明涉及的基于热对流原理的微机械加速度传感器所设计的结构合理,所选材料性能好,因此制作出的传感器可靠性好,强度高,且制作工艺简单,成品率高,可满足大批量生产。

附图说明

[0023] 图1为本发明的整体结构示意图;
[0024] 图2(a)‑2(i)为本发明的制作工艺流程示意图;
[0025] 其中各附图标记说明如下:
[0026] 1代表硅片;
[0027] 2代表聚酰亚胺;
[0028] 3代表刻蚀出的参考区;
[0029] 4代表氧化铝;
[0030] 5代表铂加热电阻;
[0031] 6代表铂传感电阻;
[0032] 7代表铂参考电阻;
[0033] 8代表金互连线;
[0034] 9代表氮化硅;
[0035] 10代表刻蚀氮化硅形成的键合区;
[0036] 11代表BCB键合胶;
[0037] 12代表玻璃盖板。
版权所有:盲专网 ©2023 zlpt.xyz  蜀ICP备2023003576号