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抑制暗计数的单光子计数电路及其抑制暗计数的方法   0    0

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专利申请流程有哪些步骤?
专利申请流程图
申请
申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。唯一性原则。
申请日:提出专利申请之日。
2016-01-18
申请公布
申请公布指发明专利申请经初步审查合格后,自申请日(或优先权日)起18个月期满时的公布或根据申请人的请求提前进行的公布。
申请公布号:专利申请过程中,在尚未取得专利授权之前,国家专利局《专利公报》公开专利时的编号。
申请公布日:申请公开的日期,即在专利公报上予以公开的日期。
2016-06-01
授权
授权指对发明专利申请经实质审查没有发现驳回理由,授予发明专利权;或对实用新型或外观设计专利申请经初步审查没有发现驳回理由,授予实用新型专利权或外观设计专利权。
2019-01-29
预估到期
发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权期限为十年,外观设计专利权期限为十五年,均自申请日起计算。专利届满后法律终止保护。
2036-01-18
基本信息
有效性 有效专利 专利类型 发明专利
申请号 CN201610030643.X 申请日 2016-01-18
公开/公告号 CN105547498B 公开/公告日 2019-01-29
授权日 2019-01-29 预估到期日 2036-01-18
申请年 2016年 公开/公告年 2019年
缴费截止日
分类号 G01J11/00 主分类号 G01J11/00
是否联合申请 独立申请 文献类型号 B
独权数量 1 从权数量 1
权利要求数量 2 非专利引证数量 0
引用专利数量 3 被引证专利数量 0
非专利引证
引用专利 CN104697646A、CN103207024A、CN205333203U 被引证专利
专利权维持 6 专利申请国编码 CN
专利事件 事务标签 公开、实质审查、授权
申请人信息
申请人 第一申请人
专利权人 杭州电子科技大学 当前专利权人 杭州电子科技大学
发明人 张钰、胡万鹏、卫振奇 第一发明人 张钰
地址 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 邮编 310018
申请人数量 1 发明人数量 3
申请人所在省 浙江省 申请人所在市 浙江省杭州市
代理人信息
代理机构
专利代理机构是经省专利管理局审核,国家知识产权局批准设立,可以接受委托人的委托,在委托权限范围内以委托人的名义办理专利申请或其他专利事务的服务机构。
杭州君度专利代理事务所 代理人
专利代理师是代理他人进行专利申请和办理其他专利事务,取得一定资格的人。
杜军
摘要
本发明公开了抑制暗计数的单光子计数电路及其抑制暗计数的方法。目前通常采用制冷技术降低光电器件的温度来实现减少暗计数,这限制了精密器件,增加整个系统的功耗。本发明抑制暗计数的方法:利用复位电路以及源跟随器将脉冲宽度转化为与宽度大小成比例的模拟电压值,再通过A/D转换器,将模拟电压值转化为数字量;A/D转换器的输出值包括暗计数脉冲和有效脉冲的转化值,其中包括随机变量和常量;A/D转换器的输出值传输到处理器,处理器分辨出常量和随机变量,剔除随机变量,同时将常量输出到计数器,计数器进行计数;消除的那部分随机变量即产生的暗计数脉冲,从而达到本发明抑制暗计数的效果。
  • 摘要附图
    抑制暗计数的单光子计数电路及其抑制暗计数的方法
  • 说明书附图:图1
    抑制暗计数的单光子计数电路及其抑制暗计数的方法
  • 说明书附图:图2
    抑制暗计数的单光子计数电路及其抑制暗计数的方法
法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
1 2019-01-29 授权
2 2016-06-01 实质审查的生效 IPC(主分类): G01J 11/00 专利申请号: 201610030643.X 申请日: 2016.01.18
3 2016-05-04 公开
权利要求
权利要求书是申请文件最核心的部分,是申请人向国家申请保护他的发明创造及划定保护范围的文件。
1.抑制暗计数的单光子计数电路,包括第一MOS管MN1、第二MOS管MN2、第三MOS管MN3、第四MOS管MN4、第五MOS管MP1、电容C1、A/D转换器、处理器和计数器,其特征在于:所述第五MOS管MP1和第一MOS管MN1的栅极均连接信号输入端IN,第五MOS管MP1的漏极连接电源电压VDD;所述第一MOS管MN1的漏极与第五MOS管MP1的源极及第二MOS管的栅极相连;第一MOS管MN1的源极接地,第一MOS管MN1和第五MOS管MP1构成CMOS反相器;所述电容C1的一端接电源电压VDD,另一端接第三MOS管MN3的漏极,第三MOS管MN3的源极接第二MOS管的漏极,第二MOS管MN2的源极接地;所述第三MOS管MN3的栅极接信号CLK;第四MOS管MN4的漏极和源极分别接在电容C2的两端,第四MOS管MN4的栅极接复位信号RESET;第二MOS管MN2的漏极作为输出端口OUT1,输出端口OUT1连接到A/D转换器;所述A/D转换器的输出端OUT2连接处理器U;
所述处理器的输出端OUT3连接计数器Q。

2.根据权利要求1所述抑制暗计数的单光子计数电路抑制暗计数的方法,其特征在于:
该方法的具体步骤如下:
步骤一、搭建抑制暗计数的单光子计数电路;
步骤二、第五MOS管MP1和第一MOS管MN1的栅极均作为信号输入端IN,与单光子探测系统的放大器的输出端相连接;信号输入端IN所传输的信号为雪崩脉冲,此雪崩脉冲为光子照射到单光子雪崩二极管上的有效脉冲X1,或由于器件的不合理造成的无效脉冲X2;
步骤三、在雪崩事件发生之前,CLK和RESET信号电平为低电平,第二MOS管MN2和第三MOS管MN3不导通,电容C1充电至电源电压VDD;当有雪崩事件发生时,CLK信号为高电平,IN端会有雪崩脉冲X1或X2,此时雪崩脉冲经过CMOS反相器到达第二MOS管MN2,第二MOS管MN2和第三MOS管MN3导通,电容通过第二MOS管MN2和第三MOS管MN3进行放电;电容C1放电直到RESET信号电平变为高电平,此时电容C1通过第四MOS管MN4将剩余电荷释放,在下一个雪崩脉冲产生之前,将CLK和RESET信号再一次恢复到低电平,电容C1再一次充电至电源电压VDD;
步骤四、第二MOS管MN2的漏极输出电压信号V1;电压信号V1的模拟电压值与电容极板电压值成线性比例关系,而电容极板电压值与放电时间t满足关系式:
式中,V0为电容极板在t=0时刻的电压值,V0=VDD;R为第二MOS管MN2和第三MOS管MN3组成的导通电阻,C为电容值;放电时间t的最大值由雪崩脉冲信号的脉冲宽度决定;电压信号V1的模拟电压值包括有效脉冲转化的模拟电压值Y1和无效脉冲转化的模拟电压值Y2;
步骤五、电压信号V1输入到A/D转换器,由模拟电压值转化为数字量,数字量包括由效脉冲转化的数字量Z1和无效脉冲转化的数字量Z2;
步骤六、数字量输入到处理器,处理器剔除数字量Z2并保留数字量Z1,Z1作为处理器的输出量输入到计数器。
说明书

技术领域

[0001] 本发明属于电子技术领域,具体涉及一种抑制暗计数的单光子计数电路及其抑制暗计数的方法。

背景技术

[0002] 单光子探测技术是一种微光探测技术,在生物发光、量子通信、大气污染检测、放射探测、天文研究、高灵敏度传感器等领域有着广泛的应用。单光子探测技术采用的光电接收器件主要有光电倍增管、单光子雪崩二极管。在采用这些光电接收器件的单光子探测系统中,暗计数是其重要的噪声来源,降低暗计数是单光子探测系统提高探测灵敏度的重要手段。暗计数主要来源于热激发、隧道贯穿和掺杂缺陷处的势阱,热激发会使电子从满带跃迁到空带,同时会在满带中产生空穴,这些电子空穴经雪崩倍增后,会产生暗计数。
[0003] 目前也有用来减少暗计数的方法,但是通常都是采用制冷技术降低光电器件的温度来实现的,但是这对一些精密器件来说,会对发展有一定限制,这种方法会增加整个系统的功耗、成本和体积。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提出一种结构简单、成本低、在室温条件下能够减少暗计数的单光子计数电路及其抑制暗计数的方法。
[0005] 本发明的抑制暗计数的单光子计数电路,包括第一MOS管MN1、第二MOS管MN2、第三MOS管MN3、第四MOS管MN4、第五MOS管MP1、电容C1、A/D转换器、处理器和计数器。所述第五MOS管MP1和第一MOS管MN1的栅极均连接信号输入端IN,第五MOS管MP1的漏极连接电源电压VDD;所述第一MOS管MN1的漏极与第五MOS管MP1的源极及第二MOS管的栅极相连;第一MOS管MN1的源极接地,第一MOS管MN1和第五MOS管MP1构成CMOS反相器;所述电容C1的一端接电源电压VDD,另一端接第三MOS管MN3的漏极,第三MOS管MN3的源极接第二MOS管的漏极,第二MOS管MN2的源极接地;所述第三MOS管MN3的栅极接信号CLK;第四MOS管MN4的漏极和源极分别接在电容C2的两端,第四MOS管MN4的栅极接复位信号RESET;第二MOS管MN2的漏极作为输出端口OUT1,输出端口OUT1连接到A/D转换器;所述A/D转换器的输出端OUT2连接处理器U;所述处理器的输出端OUT3连接计数器Q。
[0006] 该抑制暗计数的单光子计数电路抑制暗计数的方法,具体步骤如下:
[0007] 步骤一、搭建抑制暗计数的单光子计数电路。
[0008] 步骤二、第五MOS管MP1和第一MOS管MN1的栅极均作为信号输入端IN,与单光子探测系统的放大器的输出端相连接;信号输入端IN所传输的信号为雪崩脉冲,此雪崩脉冲为光子照射到单光子雪崩二极管上的有效脉冲X1,或由于器件的不合理造成的无效脉冲X2。
[0009] 步骤三、在雪崩事件发生之前,CLK和RESET信号电平为低电平,第二MOS管MN2和第三MOS管MN3不导通,电容C1充电至电源电压VDD。当有雪崩事件发生时,CLK信号为高电平,IN端会有雪崩脉冲X1或X2,此时雪崩脉冲经过CMOS反相器到达第二MOS管MN2,第二MOS管MN2和第三MOS管MN3导通,电容通过第二MOS管MN2和第三MOS管MN3进行放电。电容C1放电直到RESET信号电平变为高电平,此时电容C1通过第四MOS管MN4将剩余电荷释放,在下一个雪崩脉冲产生之前,将CLK和RESET信号再一次恢复到低电平,电容C1再一次充电至电源电压VDD。
[0010] 步骤四、第二MOS管MN2的漏极输出电压信号V1;电压信号V1的模拟电压值与电容极板电压值成线性比例关系,而电容极板电压值与放电时间t满足关系式:
[0011]
[0012] 式中,V0为电容极板在t=0时刻的电压值,V0=VDD;R为第二MOS管MN2和第三MOS管MN3组成的导通电阻,C为电容值;放电时间t的最大值由雪崩脉冲信号的脉冲宽度决定;电压信号V1的模拟电压值包括有效脉冲转化的模拟电压值Y1和无效脉冲转化的模拟电压值Y2。
[0013] 步骤五、电压信号V1输入到A/D转换器,由模拟电压值转化为数字量,数字量包括由效脉冲转化的数字量Z1和无效脉冲转化的数字量Z2。
[0014] 步骤六、数字量输入到处理器,处理器剔除数字量Z2并保留数字量Z1,Z1作为处理器的输出量输入到计数器。
[0015] 本发明的有益效果在于:
[0016] 本发明根据暗计数脉冲的宽度随机性,以及有效脉冲的宽度稳定性这一特点,利用复位电路以及源跟随器将脉冲宽度转化为与宽度大小成比例的模拟电压值,再通过A/D转换器,将模拟电压值转化为数字量;A/D转换器的输出值包括暗计数脉冲和有效脉冲的转化值,其中包括随机变量和常量。A/D转换器的输出值传输到处理器,处理器分辨出常量和随机变量,剔除随机变量,同时将常量输出到计数器,计数器进行计数。消除的那部分随机变量即产生的暗计数脉冲,从而达到本发明抑制暗计数的效果。

实施方案

[0019] 下面结合附图对本发明作进一步说明。
[0020] 参照图1,抑制暗计数的单光子计数电路,包括第一MOS管MN1、第二MOS管MN2、第三MOS管MN3、第四MOS管MN4、第五MOS管MP1、电容C1、A/D转换器、处理器和计数器。第五MOS管MP1和第一MOS管MN1的栅极均连接信号输入端IN,第五MOS管MP1的漏极连接电源电压VDD;第一MOS管MN1的漏极与第五MOS管MP1的源极及第二MOS管的栅极相连;第一MOS管MN1的源极接地,第一MOS管MN1和第五MOS管MP1构成CMOS反相器;电容C1的一端接电源电压VDD,另一端接第三MOS管MN3的漏极,第三MOS管MN3的源极接第二MOS管的漏极,第二MOS管MN2的源极接地;第三MOS管MN3的栅极接信号CLK;第四MOS管MN4的漏极和源极分别接在电容C2的两端,第四MOS管MN4的栅极接复位信号RESET;第二MOS管MN2的漏极作为输出端口OUT1,输出端口OUT1连接到A/D转换器;A/D转换器的输出端OUT2连接处理器U;处理器的输出端OUT3连接计数器Q。
[0021] 如图1和2所示,该抑制暗计数的单光子计数电路抑制暗计数的方法,具体步骤如下:
[0022] 步骤一、搭建抑制暗计数的单光子计数电路。
[0023] 步骤二、第五MOS管MP1和第一MOS管MN1的栅极均作为信号输入端IN,与单光子探测系统的放大器的输出端相连接;信号输入端IN所传输的信号为雪崩脉冲,此雪崩脉冲有可能是光子照射到单光子雪崩二极管上造成的雪崩,称之为有效脉冲X1,也有可能是由于器件的不合理等因素造成的雪崩,称之为无效脉冲X2。
[0024] 步骤三、在雪崩事件发生之前,CLK和RESET信号电平为低电平,第二MOS管MN2和第三MOS管MN3不导通,电容C1充电至电源电压VDD。当有雪崩事件发生时,CLK信号为高电平,IN端会有雪崩脉冲X1或X2,此时雪崩脉冲经过CMOS反相器到达第二MOS管MN2,第二MOS管MN2和第三MOS管MN3导通,电容通过第二MOS管MN2和第三MOS管MN3进行放电。电容C1放电直到RESET信号电平变为高电平,此时电容C1通过第四MOS管MN4将剩余电荷释放,在下一个雪崩脉冲产生之前,将CLK和RESET信号再一次恢复到低电平,电容C1再一次充电至电源电压VDD。
[0025] 步骤四、第二MOS管MN2的漏极输出电压信号V1;电压信号V1的模拟电压值与电容极板电压值成线性比例关系,而电容极板电压值与放电时间t(放电时间t的最大值由雪崩脉冲信号的脉冲宽度决定)满足关系式:
[0026]
[0027] 式中,V0为电容极板在t=0时刻的电压值,V0=VDD;R为第二MOS管MN2和第三MOS管MN3组成的导通电阻,C为电容值。可见,由雪崩脉冲信号的脉冲宽度可得电压信号V1的模拟电压值,电压信号V1的模拟电压值包括有效脉冲转化的模拟电压值Y1和无效脉冲转化的模拟电压值Y2。
[0028] 步骤五、电压信号V1输入到A/D转换器,由模拟电压值转化为数字量,数字量包括由效脉冲转化的数字量Z1和无效脉冲转化的数字量Z2。
[0029] 步骤六、数字量输入到处理器,处理器剔除数字量Z2并保留数字量Z1,Z1作为处理器的输出量输入到计数器。

附图说明

[0017] 图1为本发明的原理框图;
[0018] 图2为本发明的工作流程图。
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