[0015] 下面结合实施例对本发明作进一步说明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等同形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围内。
[0016] 实施例1
[0017] (1)混合搅拌：将占聚二甲基硅氧烷的质量比为1％的氧化石墨烯与聚二甲基硅氧烷(预聚物与交联剂质量比为10:1)混合，搅拌30分钟直到二者混合均匀。
[0018] (2)稀释搅拌：将该混合物置于真空干燥箱内静置2小时，然后注入聚二甲基硅氧烷质量3倍的甲苯进行稀释，磁力搅拌1小时后获得前驱体液。
[0019] (3)真空除气固化：以2毫米厚的Mg-9Al-1Zn镁合金作为基底，将前驱体液倒在镁合金上，前驱体液在重力的作用下铺展，然后在真空干燥箱中进行固化，温度为150摄氏度，时间为1小时，即可制备出石墨烯复合材料。在3.5％NaCl溶液中测得动极化曲线，利用Tafel直线外推法得到镁合金基底腐蚀电位Ecorr为-1774mV，腐蚀电流Icorr为3.582×10-5A/cm2。制备石墨烯复合材料涂层后，腐蚀电位Ecorr为-1224mV，腐蚀电流Icorr为1.277×
10-5A/cm2。对于静态腐蚀实验，将制备好的样品分别置于1mol/L的HCl、NaCl和NaOH的腐蚀性液体中，浸泡2小时后，样品表面形貌的无明显变化。镁合金表面的复合材料破损后，经过灼烧自愈，腐蚀电位Ecorr为-1179mV，腐蚀电流Icorr为1.253×10-5A/cm2。
[0020] 实施例2：
[0021] (1)混合搅拌：将占聚二甲基硅氧烷的质量比为5％的氧化石墨烯与聚二甲基硅氧烷(预聚物与交联剂质量比为10:1)混合，搅拌60分钟直到二者混合均匀。
[0022] (2)稀释搅拌：将该混合物置于真空干燥箱内静置3小时，然后注入聚二甲基硅氧烷质量3倍的苯进行稀释，磁力搅拌1小时后获得前驱体液。
[0023] (3)真空除气固化：以2毫米厚的Mg-9Al-1Zn镁合金作为基底，将前驱体液倒在镁合金上，前驱体液在重力的作用下铺展，然后在真空干燥箱中进行固化，温度为150摄氏度，时间为1小时，即可制备出石墨烯复合材料。在3.5％NaCl溶液中测得动极化曲线，利用Tafel直线外推法得到镁合金基底腐蚀电位Ecorr为-1774mV，腐蚀电流Icorr为3.582×10-5A/cm2。制备石墨烯复合材料涂层后，腐蚀电位Ecorr为-791mV，腐蚀电流Icorr为5.57×10-6 2
A/cm。对于静态腐蚀实验，将制备好的样品分别置于1mol/L的HCl、NaCl和NaOH的腐蚀性液体中，浸泡2小时后，样品表面形貌的无明显变化。镁合金表面的复合材料破损后，经过灼烧自愈，腐蚀电位Ecorr为-845mV，腐蚀电流Icorr为4.42×10-6A/cm2。
[0024] 实施例3：
[0025] (1)混合搅拌：将占聚二甲基硅氧烷的质量比为8％的氧化石墨烯与聚二甲基硅氧烷(预聚物与交联剂质量比为10:1)混合，搅拌30分钟直到二者混合均匀。
[0026] (2)稀释搅拌：将该混合物置于真空干燥箱内静置0.5小时，然后注入聚二甲基硅氧烷质量2倍的氯仿进行稀释，磁力搅拌2小时后获得前驱体液。
[0027] (3)真空除气固化：以2毫米厚的Mg-9Al-1Zn镁合金作为基底，将前驱体液倒在镁合金上，前驱体液在重力的作用下铺展，然后在真空干燥箱中进行固化，温度为80摄氏度，时间为6小时，即可制备出石墨烯复合材料。在3.5％NaCl溶液中测得动极化曲线，利用Tafel直线外推法得到镁合金基底腐蚀电位Ecorr为-1774mV，腐蚀电流Icorr为3.582×10-5A/cm2。制备石墨烯复合材料涂层后，腐蚀电位Ecorr为-873mV，腐蚀电流Icorr为4.33×10-6A/cm2。对于静态腐蚀实验，将制备好的样品分别置于1mol/L的HCl、NaCl和NaOH的腐蚀性液体中，浸泡2小时后，样品表面形貌的无明显变化。镁合金表面的复合材料破损后，经过灼烧自愈，腐蚀电位Ecorr为-897mV，腐蚀电流Icorr为4.75×10-6A/cm2。
[0028] 实施例4：
[0029] (1)混合搅拌：将占聚二甲基硅氧烷的质量比为10％的氧化石墨烯与聚二甲基硅氧烷(预聚物与交联剂质量比为10:1)混合，搅拌65分钟直到二者混合均匀。
[0030] (2)稀释搅拌：将该混合物置于真空干燥箱内静置2小时，然后注入聚二甲基硅氧烷质量3倍的甲苯进行稀释，磁力搅拌3小时后获得前驱体液。
[0031] (3)真空除气固化：以2毫米厚的Mg-9Al-1Zn镁合金作为基底，将前驱体液倒在镁合金上，前驱体液在重力的作用下铺展，然后在真空干燥箱中进行固化，温度为100摄氏度，时间为4小时，即可制备出石墨烯复合材料。在3.5％NaCl溶液中测得动极化曲线，利用Tafel直线外推法得到镁合金基底腐蚀电位Ecorr为-1774mV，腐蚀电流Icorr为3.582×10-5A/cm2。制备石墨烯复合材料涂层后，腐蚀电位Ecorr为-844mV，腐蚀电流Icorr为4.83×10-6A/cm2。对于静态腐蚀实验，将制备好的样品分别置于1mol/L的HCl、NaCl和NaOH的腐蚀性液体中，浸泡2小时后，样品表面形貌的无明显变化。镁合金表面的复合材料破损后，经过灼烧自愈，腐蚀电位Ecorr为-886mV，腐蚀电流Icorr为4.67×10-6A/cm2。
[0032] 实施例5：
[0033] (1)混合搅拌：将占聚二甲基硅氧烷的质量比为14％的氧化石墨烯与聚二甲基硅氧烷(预聚物与交联剂质量比为10:1)混合，搅拌90分钟直到二者混合均匀。
[0034] (2)稀释搅拌：将该混合物置于真空干燥箱内静置4小时，然后注入聚二甲基硅氧烷质量3倍的甲苯进行稀释，磁力搅拌3小时后获得前驱体液。
[0035] (3)真空除气固化：以2毫米厚的Mg-9Al-1Zn镁合金作为基底，将前驱体液倒在镁合金上，前驱体液在重力的作用下铺展，然后在真空干燥箱中进行固化，温度为120摄氏度，时间为3小时，即可制备出石墨烯复合材料。在3.5％NaCl溶液中测得动极化曲线，利用Tafel直线外推法得到镁合金基底腐蚀电位Ecorr为-1774mV，腐蚀电流Icorr为3.582×10-5A/cm2。制备石墨烯复合材料涂层后，腐蚀电位Ecorr为-1055mV，腐蚀电流Icorr为1.042×-5 2
10 A/cm。对于静态腐蚀实验，将制备好的样品分别置于1mol/L的HCl、NaCl和NaOH的腐蚀性液体中，浸泡2小时后，样品表面形貌的无明显变化。镁合金表面的复合材料破损后，经过灼烧自愈，腐蚀电位Ecorr为-979mV，腐蚀电流Icorr为1.122×10-5A/cm2。
[0036] 实施例6：
[0037] (1)混合搅拌：将占聚二甲基硅氧烷的质量比为18％的氧化石墨烯与聚二甲基硅氧烷(预聚物与交联剂质量比为10:1)混合，搅拌100分钟直到二者混合均匀。
[0038] (2)稀释搅拌：将该混合物置于真空干燥箱内静置5小时，然后注入聚二甲基硅氧烷质量6倍的二氯甲烷进行稀释，磁力搅拌4小时后获得前驱体液。
[0039] (3)真空除气固化：以2毫米厚的Mg-9Al-1Zn镁合金作为基底，将前驱体液倒在镁合金上，前驱体液在重力的作用下铺展，然后在真空干燥箱中进行固化，温度为150摄氏度，时间为2小时，即可制备出石墨烯复合材料。在3.5％NaCl溶液中测得动极化曲线，利用Tafel直线外推法得到镁合金基底腐蚀电位Ecorr为-1774mV，腐蚀电流Icorr为3.582×10-5A/cm2。制备石墨烯复合材料涂层后，腐蚀电位Ecorr为-1166mV，腐蚀电流Icorr为1.101×
10-5A/cm2。对于静态腐蚀实验，将制备好的样品分别置于1mol/L的HCl、NaCl和NaOH的腐蚀性液体中，浸泡2小时后，样品表面形貌的无明显变化。镁合金表面的复合材料破损后，经过灼烧自愈，腐蚀电位Ecorr为-1004mV，腐蚀电流Icorr为1.176×10-5A/cm2。
[0040] 实施例7：
[0041] (1)混合搅拌：将占聚二甲基硅氧烷的质量比为20％的氧化石墨烯与聚二甲基硅氧烷(预聚物与交联剂质量比为10:1)混合，搅拌120分钟直到二者混合均匀。
[0042] (2)稀释搅拌：将该混合物置于真空干燥箱内静置6小时，然后注入聚二甲基硅氧烷质量4倍的二甲苯进行稀释，磁力搅拌4小时后获得前驱体液。
[0043] (3)真空除气固化：以2毫米厚的铜合金作为基底，将前驱体液倒在铜合金上，前驱体液在重力的作用下铺展，然后在真空干燥箱中进行固化，温度为200摄氏度，时间为0.5小时，即可制备出石墨烯复合材料。在3.5％NaCl溶液中测得动极化曲线，利用Tafel直线外推法得到镁合金基底腐蚀电位Ecorr为-1774mV，腐蚀电流Icorr为3.582×10-5A/cm2。制备石墨烯复合材料涂层后，腐蚀电位Ecorr为-1211mV，腐蚀电流Icorr为1.177×10-5A/cm2。对于静态腐蚀实验，将制备好的样品分别置于1mol/L的HCl、NaCl和NaOH的腐蚀性液体中，浸泡2小时后，样品表面形貌的无明显变化。镁合金表面的复合材料破损后，经过灼烧自愈，腐蚀电位Ecorr为-1067mV，腐蚀电流Icorr为1.206×10-5A/cm2。
[0044] 对比例：
[0045] (1)混合搅拌：不使用氧化石墨烯，单独将聚二甲基硅氧烷(聚二甲基硅氧烷)(预聚物与交联剂质量比为10:1)搅拌60分钟。
[0046] (2)稀释搅拌：将该混合物置于真空干燥箱内静置3小时，然后注入聚二甲基硅氧烷质量3倍的甲苯进行稀释，磁力搅拌1小时后获得前驱体液。
[0047] (3)真空除气固化：以2毫米厚的Mg-9Al-1Zn镁合金作为基底，将前驱体液倒在镁合金上，前驱体液在重力的作用下铺展，然后在真空干燥箱中进行固化，温度为150摄氏度，时间为1小时，即可在镁合金表面制备出聚二甲基硅氧烷薄膜。在3.5％NaCl溶液中测得动极化曲线，利用Tafel直线外推法得到镁合金基底腐蚀电位Ecorr为-1774mV，腐蚀电流Icorr为3.582×10-5A/cm2。制备聚二甲基硅氧烷材料涂层后，腐蚀电位Ecorr为-1443mV，腐-5 2蚀电流Icorr为2.774×10 A/cm 。对于静态腐蚀实验，将制备好的样品分别置于1mol/L的HCl、NaCl和NaOH的腐蚀性液体中，浸泡2小时后，样品表面部分形貌被破坏。镁合金表面的涂层破损后，经过灼烧自愈，腐蚀电位Ecorr为-1561mV，腐蚀电流Icorr为2.898×10-5A/cm2。
