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一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置
一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置
发明专利
实质审查
硅晶片刻蚀
申请日:
2021-01-15
当前状态:
实质审查
国际分类号:
H01J37/32
、
H01L21/67
发明人:
莫维伟
申请人:
莫维伟
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